[發(fā)明專利]一種基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811454650.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN109686722A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王波;明雪飛;高娜燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號(hào): H01L23/535
• 分類號(hào): H01L23/535;H01L23/538
• 代理公司: 無錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

本體，所述本體中有橋聯(lián)芯片和通孔結(jié)構(gòu)，所述橋聯(lián)芯片和所述通孔結(jié)構(gòu)通過樹脂填充材料構(gòu)成所述本體，并且所述橋聯(lián)芯片和所述通孔結(jié)構(gòu)的功能區(qū)暴露在外；

所述本體的上表面制作有再布線層，上表面的再布線層通過凸點(diǎn)與功能芯片互聯(lián)。

2.如權(quán)利要求1所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述本體的下表面制作有再布線層，下表面的再布線層上設(shè)置有植球或者生長(zhǎng)有凸點(diǎn)。

3.如權(quán)利要求1所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法包括在所述樹脂填充材料上打孔制作，或者直接采用通孔轉(zhuǎn)接板晶圓。

4.如權(quán)利要求3所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔轉(zhuǎn)接板晶圓包括TMS、TSV和TGV。

5.如權(quán)利要求1所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功能芯片為引線鍵合類芯片或者倒裝焊類芯片。

6.如權(quán)利要求5所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功能芯片的種類包括FPGA、DSP、CPU、DDR、PROM和DRAM。

7.如權(quán)利要求1所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橋聯(lián)芯片的制作工藝包括CMOS工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橋聯(lián)結(jié)構(gòu)和所述通孔結(jié)構(gòu)通過樹脂填充材料構(gòu)成本體的方法為晶圓級(jí)扇出技術(shù)。

9.如權(quán)利要求1所述的基于橋聯(lián)芯片的高密度互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橋聯(lián)芯片和所述通孔結(jié)構(gòu)的數(shù)量和位置根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)需要自由調(diào)整。