[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201811451716.8
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109860363B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 胡子杰;連偉杰;歐震;劉家銘;紀慈祎
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件，其特征在于，包含︰

第一半導體區域；

位于該第一半導體區域上的第二半導體區域；

位于該第一半導體區域和該第二半導體區域之間的活性區域；

位于該第一半導體區域上的第一電極；

其中該第一半導體區域包含第一層以及位于該第一層以及該活性區域之間的第二層，該第二層包含第一部位和與該第一部位相鄰的第二部位，該第一部位在一堆疊方向上與該活性區域重疊且具有第一厚度，該第二部位具有第二厚度，該第二厚度小于該第一厚度，該第一層包含第一材料和第一摻雜物，該第一材料包含多種元素，該第一摻雜物具有第一濃度，該第二層包含第二材料和第二摻雜物，該第二材料包含多種元素，該第二摻雜物具有第二濃度，該第一層的該第一材料的該多種元素之一與該第二層的該第二材料的該多種元素不同，該第一層的該第一摻雜物的該第一濃度大于該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度，其中該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度介于5×10¹⁸/cm³和5×10¹⁹/cm³之間且包含端值，且該第一層的該第一摻雜物的該第一濃度和該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度的比值不小于1.1，該第一層具有第三厚度，該第一層的該第三厚度與該第一部位的該第一厚度的比值不小于2；以及

位于該第二層以及該活性區域之間的間隔層，其中該間隔層包含具有第三濃度的第三摻雜物，該間隔層的該第三摻雜物的該第三濃度小于該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度。

2.一種半導體元件，其特征在于，包含︰

第一半導體區域；

位于該第一半導體區域上的第二半導體區域；

位于該第一半導體區域和該第二半導體區域之間的活性區域；

位于該第一半導體區域上的第一電極；

其中該第一半導體區域包含第一層以及位于該第一層以及該活性區域之間的第二層，該第二層包含第一部位和與該第一部位相鄰的第二部位，該第一部位在堆疊方向上與該活性區域重疊且具有第一厚度，該第二部位具有第二厚度，該第二厚度小于該第一厚度，該第一層包含第一材料和第一摻雜物，該第一材料包含多種元素，該第一摻雜物具有第一濃度，該第二層包含第二材料和第二摻雜物，該第二材料包含多種元素，該第二摻雜物具有第二濃度，該第一層的該第一材料的該多種元素之一與該第二層的該第二材料的該多種元素不同，該第一層的該第一摻雜物的該第一濃度大于該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度，其中該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度介于5×10¹⁸/cm³和5×10¹⁹/cm³之間且包含端值，該第一層的該第一摻雜物的該第一濃度和該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度的比值不大于10且不小于1.1；以及

位于該第二層以及該活性區域之間的間隔層，其中該間隔層包含具有第三濃度的第三摻雜物，該間隔層的該第三摻雜物的該第三濃度小于該第二層的該第二摻雜物的該第二濃度。

3.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中該第二層的該第二材料包含一能階，該第一層的該第一材料包含一能階，該第一層的該第一材料的該能階大于該第二層的該第二材料的該能階。

4.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一層具有第三厚度，該第三厚度大于該第一厚度。

5.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中該第一厚度不小于100納米。

6.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中該第二厚度不小于30nm。

7.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中該第三厚度不小于500nm。

8.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中該第二層包含在該第二部位上方的側壁，該側壁和該第一電極之間的最小距離大于該第二厚度。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中該最小距離與該第二厚度的比值大于10。