[發明專利]一種適于基板電路氮-氫混合等離子清洗方法

在審

• 申請號: 201811448032.2
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109671613A
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 尹國平
• 申請（專利權）人: 貴州振華風光半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01J37/32
• 代理公司: 貴陽中工知識產權代理事務所 52106
• 代理人: 劉安寧

1.一種適于集成電路基板電路氮-氫混合等離子清洗方法，系用在等離子清洗機中，惰性氣體經射頻電源激勵形成等離子體，對金屬外殼表面的清洗，其特征在于本方法是使用氮-氫混合氣體作介質，在等離子清洗機低壓腔室中，經射頻電源激勵，形成激活的氫原子、氮原子、自由電子和未反應氣體的等離子體，當這些等離子體轟擊到基板電路表面時，除撞擊這一物理過程外，同時伴隨離子化氫氣以及電離的氫原子與基板電路的氧化層發生化學還原反應，從而達到基板電路表面包含氧化物的分子級污漬的去除作用；具體的方法包括以下步驟：

第一步 將待清洗的集成電路基板電路平放在等離子清洗機清洗腔內，關好清洗腔倉門；

第二步 通入一定配比的氮-氫混合氣；

第三步 設置射頻電源功率、腔體真空度、清洗時間的參數；

第四步 啟動清洗程序進行等離子清洗，結束后取出集成電路基板電路，關好清洗腔倉門。

2.如權利要求1所述的清洗方法，其特征在于第一步中，所述等離子清洗機的型號是PINK V15-G；所述清洗機的清洗腔內安設有網狀隔板，所述基板電路放置在隔板之上。

3.如權利要求1所述的清洗方法，其特征在于第二步中，所述氮-氫混合氣的體積比例是7%∶93%。

4.如權利要求1所述的清洗方法，其特征在于第三步中，所述設置的射頻電源功率為200W，腔體真空度為160mTorr, 清洗時間為120s；設置的參數通過電腦芯片控制。