[發(fā)明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811446725.8 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN111244128A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 胡銳欽 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201506 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
形成在所述襯底基板上的多個像素電路,所述像素電路包括多個薄膜晶體管;
各所述薄膜晶體管均包括有源層;
至少兩個所述薄膜晶體管的所述有源層位于不同膜層中。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括層疊設置的第一半導體層和第二半導體層;
所述有源層包括第一類有源層和第二類有源層;所述第一類有源層位于所述第一半導體層中,所述第二類有源層位于所述第二半導體層中;
所述第一類有源層對應的所述薄膜晶體管為第一類薄膜晶體管,所述第二類有源層對應的所述薄膜晶體管為第二類薄膜晶體管;
同一所述像素電路中各所述薄膜晶體管均為所述第一類薄膜晶體管或所述第二類薄膜晶體管。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括形成在所述像素電路上的多個發(fā)光單元;所述發(fā)光單元與所述像素電路一一對應連接;
多個所述發(fā)光單元排列形成M行N列的陣列結構,M和N均為正整數(shù);
沿所述陣列結構的行方向,第奇數(shù)行中,第奇數(shù)個所述發(fā)光單元對應的所述像素單元中各所述薄膜晶體管均為第一類薄膜晶體管,第偶數(shù)個所述發(fā)光單元對應的所述像素單元中各所述薄膜晶體管均為第二類薄膜晶體管;
沿所述陣列結構的行方向,第偶數(shù)行中,第奇數(shù)個所述發(fā)光單元對應的所述像素單元中各所述薄膜晶體管均為第二類薄膜晶體管,第偶數(shù)個所述發(fā)光單元對應的所述像素單元中各所述薄膜晶體管均為第一類薄膜晶體管。
4.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括形成在所述像素電路上的多個發(fā)光單元;所述發(fā)光單元與所述像素電路一一對應連接;
多個所述發(fā)光單元排列形成M行N列的陣列結構,M和N均為正整數(shù);
沿所述陣列結構的行方向,任意行中,第奇數(shù)個所述發(fā)光單元對應的所述像素單元中各所述薄膜晶體管均為第一類薄膜晶體管,第偶數(shù)個所述發(fā)光單元對應的所述像素單元中各所述薄膜晶體管均為第二類薄膜晶體管。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的顯示面板,其特征在于,所有所述第一類有源層在所述襯底基板上的垂直投影為第一投影;
所有所述第二類有源層在所述襯底基板上的垂直投影為第二投影;
所述第一投影與所述第二投影不重合;
所述顯示面板包括位于所述第一半導體層和第二半導體層之間的第一金屬層;
所述第一類薄膜晶體管還包括第一柵電極,所述第二類薄膜晶體管還包括第二柵電極;
各所述第一柵電極和各所述第二柵電極均位于所述第一金屬層中,且所述第一柵電極和所述第二柵電極之間電絕緣。
6.根據(jù)權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,
所有所述第一類有源層在所述襯底基板上的垂直投影為第一投影;
所有所述第二類有源層在所述襯底基板上的垂直投影為第二投影;
所述第一投影與所述第二投影至少部分重合。
7.根據(jù)權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括多條掃描線;
同一行中,各所述發(fā)光單元對應的所述像素單元與同一條掃描線電連接;
所述顯示面板包括位于所述第一半導體層和第二半導體層之間的第一金屬層;
所述第一類薄膜晶體管還包括第一柵電極,所述第二類薄膜晶體管還包括第二柵電極;
所述第一柵電極位于所述第一金屬層中,且同一行中,所述第一類薄膜晶體管的所述第一柵電極同時用作與之相鄰的所述第二類薄膜晶體管的所述第二柵電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





