[發明專利]基座調節裝置及腔室有效
| 申請號: | 201811444994.0 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN111235550B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發明(設計)人: | 李進;傅新宇;何中凱;榮延棟;魏景峰 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基座 調節 裝置 | ||
本發明提供的基座調節裝置及腔室,基座調節裝置包括:第一調節件、第二調節件以及推拉組件;推拉組件分別連接第一調節件和第二調節件,其中,第一調節件用于固定基座,第一調節件與第二調節件連接并且能在推拉組件的驅動下相對第二調節件沿第一水平方向移動;其中,第二調節件與腔室底壁連接并且能在推拉組件的驅動下相對腔室底壁沿第二水平方向移動。通過推拉組件以推拉的方式分別驅動第一調節件和第二調節件移動,僅需要調節兩次即可完成基座的水平位置的調整,整體調節性高,操作簡單。
技術領域
本發明屬于半導體制造技術領域,具體涉及一種基座調節裝置及腔室。
背景技術
原子層沉積技術是一種基于真空環境下的薄膜沉積方法,其最大特點是膜層厚度穩定、生長層數可控。圖1為一種常見的基座及其提升結構的結構示意圖。如圖1所示,腔室內設置有工藝套件8,工藝套件8在工藝過程中保持靜止狀態,基座9隨工藝需求在提升機構7的驅動下做升降運動,運動過程中要求基座9與工藝套件8中心保持對中。其中,工藝套件8是一組零件的裝配體,多件配合裝配于腔室內部以構成氣道,整個裝配體存在一定的加工誤差和裝配誤差,基座9與提升機構7也是一組零件的裝配體,同樣存在加工誤差和裝配誤差,單純靠零件尺寸配合獲得對中精度比較困難,對加工精度要求也比較高,因此,需要采用可調節方式實現對中。另外,基座9本身也要求具有一定的水平度,以確保與機械手銜接及與工藝套件相對平行,由于基座9具有一定的高度,其底部的微小角度會在頂端放大為明顯角度的傾斜,因此,也需要進行水平度的調整。
圖2a為現有技術提供的一種基座調節機構的主視示意圖;圖2b為圖2a中I區域的局部示意圖;圖2c為圖2a中的俯視示意圖。如圖2a-圖2c所示,在框架1上具有三個調整結構2,基座通過三個調整結構2實現與腔室的連接固定,在框架1上開設有左右方向、前后方向的長孔,調整結構2包括偏心導向柱6,通過旋轉偏心導向柱6帶動調整結構2沿左右方向或前后方向移動,從而實現對中調節。調平功能由調平螺釘3實現,三個調平螺釘3確定一個共同平面,通過調節調整結構2中的球頭結構9來調節調平螺釘3的高度,從而實現水平度的調整。
在上述結構中,存在如下問題:
其一,由于前后或左右對中調節時需要三個調整結構2分別進行調節,整體一致性差,操作繁瑣,還會發生步調不一致導致較勁情況;
其二,偏心導向柱6不夠靈活,偏心移動旋轉時往往產生阻力,使對中過程受到阻礙。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了一種基座調節裝置及腔室,能進行整體調整,簡化操作。
為解決上述問題,本發明提供了一種基座調節裝置,用于調節基座相對于腔室的位置,所述基座調節裝置包括:第一調節件、第二調節件以及推拉組件;
所述推拉組件分別連接所述第一調節件和所述第二調節件;
所述第一調節件用于固定所述基座,所述第一調節件與所述第二調節件連接并且能在所述推拉組件的驅動下相對所述第二調節件沿第一水平方向移動;
所述第二調節件與腔室底壁連接并且能在所述推拉組件的驅動下相對所述腔室底壁沿第二水平方向移動;
其中,所述第一水平方向與所述第二水平方向相互垂直。
進一步地,所述推拉組件包括固定塊和調節螺釘;
其中,所述推拉組件設有兩組,所述固定塊分別固定在所述第二調節件和所述腔室底壁;
所述調節螺釘分別沿第一水平方向和第二水平方向設置在對應的所述固定塊中,相應的所述調節螺釘的一端分別與所述第一調節件和所述第二調節件螺紋連接;所述調節螺釘與所述固定塊之間的連接結構配置為:所述調節螺釘相對自身軸線轉動的同時在該軸線方向上固定。
進一步地,所述連接結構包括設置在所述固定塊的卡合部以及設置在所述調節螺釘的凸緣;
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





