[發明專利]用于校正模型化氨填充水平的方法

有效

• 申請號: 201811444942.3
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109854347B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: F.施魏策
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: F01N11/00
• 分類號: F01N11/00;F01N3/20;F01N9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 方莉;李雪瑩

本發明涉及一種用于校正SCR催化系統（20）中的下游SCR催化器（22）的模型化氨填充水平的方法，該SCR催化系統具有兩個相繼布置在排氣管路（11）中的SCR催化器（21、22）。將下游SCR催化器（22）下游的預期氮氧化物質量流量與在下游SCR催化器（22）的下游處測得的氮氧化物質量流量相比較?；诒容^結果進行校正。

技術領域

本發明涉及一種用于校正SCR催化系統中的下游SCR催化器的模型化（modelliert）氨填充水平的方法，該SCR催化系統具有相繼布置在排氣管路中的兩個SCR催化器。此外，本發明還涉及執行該方法的每個步驟的計算機程序，以及存儲該計算機程序的可機讀的存儲介質。最后，本發明涉及一種電子控制設備，其被設置用于執行該方法。

背景技術

借助氨或氨解劑的選擇性催化還原（Selective Catalytic Reduction; SCR）是減少富氧廢氣中的氮氧化物的有前景的方法。SCR催化器的效率取決于其溫度、廢氣的空間速度以及關鍵是取決于其表面吸附的氨的填充水平。除了直接配給的氨之外，所吸附的氨也可供還原氮氧化物，由此，相對于排空的催化器，SCR催化器的效率提高。存儲性能取決于催化器的相應運行溫度。溫度越低，存儲能力越大。

若SCR催化劑完全填充其儲存器，則在借助SCR催化劑還原其廢氣的內燃機發生負載瞬變時，即使沒有氨或氨解劑配給到排氣管路中，也會導致氨逸出。但是，如果要實現盡可能高的氮氧化物轉化率，就不可避免地需要在高氨填充水平下運行SCR系統。若由于內燃機的負載瞬變，完全填充的SCR催化器的溫度升高，則該SCR催化器的氨存儲能力下降，從而導致氨逸出。

SCR催化器安裝在內燃機附近，因此SCR催化器在內燃機冷啟動之后迅速達到其運行溫度，由此上述效應就特別顯著。因此，可以在排氣管路中在第一SCR催化器的下游設置第二SCR催化器，用于從第一催化器的氨逸出中吸附氨并隨后進行轉化。

車載診斷系統（OBD）的準則要求必須監測兩個SCR催化器。為此，通常在兩個SCR催化器的下游分別存在氮氧化物傳感器。出于成本原因，通常只在第一SCR催化器上游安裝配量閥，以將氨解還原劑溶液配給到排氣管路中。由此，第二SCR催化器的氨填充只通過第一SCR催化器的氨逸出進行。然而，也可以在SCR催化器之間布置另外的配量閥。傳感器的數據可以用于模型化兩個SCR催化器的填充水平。

然而，可能會發生的是，第二或下游SCR催化器中的物理的氨填充水平偏離模型化的氨填充水平。當物理的氨填充水平過低時，第二SCR催化器的氮氧化物轉化率降低并且就可能導致超過極限值。盡管快速適應方法可以重新校正第二SCR催化器下游的氮氧化物額定值，但仍難以消除誤差原因，因為適應方法無法確定應在第一SCR催化器的區域還是在第二SCR催化器的區域中尋找誤差原因。

發明內容

本方法用于校正SCR催化系統中的下游SCR催化器的模型化氨填充水平，該SCR催化系統具有相繼布置在排氣管路中的兩個SCR催化器。在此，上游SCR催化器靠近內燃機，且下游SCR催化器靠近排氣管路的排出口。將下游SCR催化器下游的預期氮氧化物質量流量與在下游SCR催化器的下游處測得的氮氧化物質量流量相比較。基于該比較結果進行校正。