[發明專利]一種SiC納米線增強鋁碳化硅復合材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201811442619.2
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109518026A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 張俊雄;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司
• 主分類號: C22C1/10
• 分類號: C22C1/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SiC納米線增強鋁碳化硅復合材料，由碳化硅泡沫陶瓷，SiC納米線、BN界面層、碳化硅和鋁合金組成，其特征在于SiC納米線原位生長在碳化硅泡沫陶瓷中，BN界面層包覆在SiC納米線和碳化硅泡沫陶瓷表面，碳化硅和鋁合金填充在碳化硅泡沫陶瓷內部和表層；碳化硅泡沫陶瓷密度為0.3~0.6g/cm³，孔隙率為70~90%，孔密度為15~35PPI；SiC納米線直徑為50~200nm，長度為0.5~3mm；BN界面層厚度為0.05~0.3μm；所述的碳化硅呈顆粒狀，粒徑為0.5~1μm，純度為97~99%。

2.一種SiC納米線增強鋁碳化硅復合材料的制備方法，其特征在于包括下述順序的步驟：

（1）將碳化硅泡沫陶瓷用無水乙醇超聲清洗，清洗后放到烘箱中烘干；

（2）將聚碳硅烷、二茂鐵、活性炭混合球磨制得均勻的粉末先驅體，然后將粉末先驅體放入石墨坩堝中；

（3）將烘干好的碳化硅泡沫陶瓷放在石墨坩堝上面，再將石墨坩堝放入到高溫燒結爐中，升溫至1300~1500℃，保溫并通入流動性Ar，制得原位生長SiC納米線的碳化硅泡沫陶瓷；

（4）將原位生長SiC納米線的碳化硅泡沫陶瓷放到化學氣相沉積爐中沉積BN界面層；

（5）將鋁合金顆粒和碳化硅顆粒混合均勻，將制備好BN界面的碳化硅泡沫陶瓷包埋在混合均勻的鋁合金/碳化硅顆粒中，抽真空至0.01~10Pa，再升溫至700~1000℃，保溫1~5h，得到SiC納米線增強鋁碳化硅復合材料。