[發明專利]一種低阻值電阻器及其制作工藝

在審

• 申請號: 201811441343.6
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109346255A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 趙武彥;劉冰芝;杜杰霞;彭榮根;陳飛;柴春燕
• 申請（專利權）人: 昆山厚聲電子工業有限公司
• 主分類號: H01C1/14
• 分類號: H01C1/14;H01C7/00;H01C17/02;H01C17/06;H01C17/242;H01C17/28;H01C17/30
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種低阻值電阻器，其特征在于，包括：

絕緣基板(1)，包括沿第一方向相對設置的第一側和第二側以及沿第二方向相對設置的第三側和第四側；

電阻層(2)，設置在所述絕緣基板(1)的第一側，所述電阻層(2)的材質采用銅鎳合金；

保護層(3)，設置在所述電阻層(2)的外表面并將所述電阻層(2)遮蔽；

電極層(4)，兩個所述電極層(4)分置于所述絕緣基板(1)第二方向的兩端，所述電極層(4)包括設置在所述第一側的正面電極(41)、設置在所述第二側的背面電極(42)和設置在所述第三側或第四側的側面電極(43)，所述正面電極(41)、所述電阻層(2)和所述側面電極(43)依次連接；

第一金屬層(5)，設置在所述電極層(4)的外表面；

第二金屬層(6)，設置在所述第一金屬層(5)的外表面；

第三金屬層(7)，設置在所述第二金屬層(6)的外表面。

2.根據權利要求1所述的低阻值電阻器，其特征在于，還包括設置在所述保護層(3)的外面的標識層(8)。

3.根據權利要求1所述的低阻值電阻器，其特征在于，所述保護層(3)的兩端分別將兩個所述正面電極(41)的部分覆蓋。

4.根據權利要求1所述的低阻值電阻器，其特征在于，所述背面電極(42)以及所述正面電極(41)均采用銅材質，所述側面電極(43)采用NiCr。

5.根據權利要求1所述的低阻值電阻器，其特征在于，所述第一金屬層(5)采用銅材質。

6.根據權利要求1所述的低阻值電阻器，其特征在于，所述第二金屬層(6)采用鎳材質。

7.根據權利要求1所述的低阻值電阻器，其特征在于，所述第三金屬層(7)采用錫材質。

8.一種權利要求1-7任一項所述的低阻值電阻器的制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S10：制備絕緣板材(9)，并在所述絕緣板材(9)的第一側或第二側表面間隔設置多條橫線(91)和多條縱線(92)；

S20：在所述絕緣板材(9)的第二側并正對每一條所述縱線(92)均印制背面電極(42)，并干燥處理，所述背面電極(42)橫跨所述縱線(92)的兩側；

S30：在所述絕緣板材(9)的第一側位于相鄰兩條縱線(92)和相鄰兩條橫線(91)之間均采用銅鎳合金印制電阻層(2)，并干燥處理；

S40：在所述絕緣板材(9)的第一側印刷正面電極(41)，并干燥處理；

S50：將背面電極(42)、電阻層(2)和正面電極(41)燒結；

S60：調整所述電阻層(2)的阻值至需要的阻值；

S70：在所述電阻層(2)表面印制保護層(3)；

S80：沿每個所述縱線(92)將所述絕緣板材(9)切割成多個長條；

S90：采用真空濺射機在長條的兩個切割面上濺射側面電極(43)；

S100：將每個所述長條沿每個所述橫線(91)分割成多個半成品電阻(20)；

S110：采用滾鍍工藝在所述半成品電阻(20)的側面電極(43)的外表面鍍第一金屬層(5)；

S120：采用滾鍍工藝在所述第一金屬層(5)的外表面鍍第二金屬層(6)；

S130：采用滾鍍工藝在所述第二金屬層(6)的外表面鍍第三金屬層(7)。

9.根據權利要求8所述的低阻值電阻器的制作工藝，其特征在于，在步驟S70還包括：保護層(3)干燥后在所述保護層(3)的外表面印制標識層(8)。

10.根據權利要求1所述的低阻值電阻器的制作工藝，其特征在于，步驟S60包括：采用鐳射激光在電阻層(2)上進行鐳射激光切割，調整所述電阻層(2)的電阻值達到所需要的阻值。