[發(fā)明專利]一種電子紙驅(qū)動(dòng)基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811435046.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN111243477B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈鵬飛;肖緒名
• 申請（專利權(quán)）人: 江西興泰科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/20
• 分類號(hào): G09G3/20;G09G3/34;G02F1/16755
• 代理公司: 寧波甬致專利代理有限公司 33228
• 代理人: 黃宗熊

本發(fā)明公開了一種電子紙驅(qū)動(dòng)基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上設(shè)有第一ITO層，所述第一ITO層上設(shè)有微杯與第一光學(xué)膠層，所述第一光學(xué)膠層上設(shè)有薄膜層，所述薄膜上設(shè)有第二ITO層，所述第二ITO層上設(shè)有第一光刻膠層，所述第一光刻膠層上設(shè)有第二光學(xué)膠層與第三ITO層，所述第三ITO層上設(shè)有第四ITO層與第三光學(xué)膠層，所述第三光學(xué)膠層上設(shè)有第二光刻膠層，所述第二光刻膠層上設(shè)有第五ITO層，所述第五ITO層上設(shè)有電活性聚合物薄膜，所述電活性聚合物薄膜上設(shè)有第六ITO層，所述第六ITO層與第四ITO層電連接。本發(fā)明的有益效果：通過微機(jī)電開關(guān)取代薄膜晶體管純物理接觸，解決tft基板漏電問題以及反彈電壓問題，并且顯著降低了導(dǎo)通時(shí)基板自身功耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種電子紙驅(qū)動(dòng)基板。

背景技術(shù)

目前的電子紙驅(qū)動(dòng)都是采用tft基板，由于tft基板是集成了無數(shù)個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管控制一個(gè)像素，由m行g(shù)ate控制信號(hào)與m列source信號(hào)形成矩陣來驅(qū)動(dòng)像素輸出需要的電壓。如圖1所示。由于采用了薄膜晶體管作為開關(guān)，在薄膜晶體管道通時(shí)就一定程度上就增加了能量的消耗。同時(shí)開關(guān)薄膜晶體管，COM端還會(huì)產(chǎn)生反彈電壓，所以目前電子紙驅(qū)動(dòng)都要給com端提供一個(gè)抵消電壓，抵消反彈電壓對電子紙的影響。TFT關(guān)斷時(shí)仍有較小的漏電流通過，漏電流也對電子紙產(chǎn)生影響，在光照下由于薄膜晶體管屬于半導(dǎo)體因此會(huì)產(chǎn)生較大的漏電流，會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)ic損壞及顯示異常。通常需要加遮光層來解決露點(diǎn)問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請所要解決的技術(shù)問題是提供了一種電子紙驅(qū)動(dòng)基板，采用微機(jī)電系統(tǒng)，利用靜電力使薄膜變形形成微開關(guān)，有效解決了漏電以及反彈電壓問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請公開了一種電子紙驅(qū)動(dòng)基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上設(shè)有第一ITO層，所述第一ITO層上設(shè)有微杯與第一光學(xué)膠層，所述第一光學(xué)膠層上設(shè)有薄膜層，所述薄膜上設(shè)有第二ITO層，所述第二ITO層上設(shè)有第一光刻膠層，所述第一光刻膠層上設(shè)有第二光學(xué)膠層與第三ITO層，所述第三ITO層上設(shè)有第四ITO層與第三光學(xué)膠層，所述第三光學(xué)膠層上設(shè)有第二光刻膠層，所述第二光刻膠層上設(shè)有第五ITO層，所述第五ITO層上設(shè)有電活性聚合物薄膜，所述電活性聚合物薄膜上設(shè)有第六ITO層，所述第六ITO層與第四ITO層電連接。

更佳的：所述第六ITO層包括多個(gè)T型單元，所述第二光刻膠層、第五ITO層與電活性聚合物薄膜上均設(shè)有過孔，所述T型單元設(shè)于過孔內(nèi)且與第四ITO層電連接。

更佳的：所述第一ITO層包括多條等寬等間距的ITO線，所述第二ITO層包括多條與第一ITO層上的ITO線垂直的ITO走線。

更佳的：所述第二光學(xué)膠層的形狀與微杯相同或者與微杯的形狀相適配。

本申請還提供了一種上述電子紙驅(qū)動(dòng)基板的制造方法，包括以下步驟：

S1：在光玻璃上按分辨率要求鍍n條等寬等間隔的ITO線，形成第一ITO層；

S2：在第一ITO層上用光刻膠制m*n個(gè)的微杯；

S3：在薄膜上絲印第一光學(xué)膠層；

S4：利用熱滾壓法將薄膜層貼附到微杯上；

S5：在薄膜層上鍍整面第二ITO層；

S6：在第二ITO層上鍍第一光刻膠層；

S7：在第一光刻膠層上鍍第三ITO層，每個(gè)獨(dú)立ITO外形為正方形；

S8：在第三ITO層的間隙中按微杯外形絲印第二光學(xué)膠層；

S9：在另一塊光玻璃上鍍整面基層ITO層；

S10：在基層ITO層上鍍帶過孔的電活性聚合物薄膜；