[發明專利]集成電路電容器陣列結構、半導體存儲器及制備方法

在審

• 申請號: 201811434304.3
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN111244065A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242;H01L49/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種集成電路電容器陣列結構，其特征在于，包括：

襯底；

下電極層，突出的位于所述襯底上，由所述下電極層內形成有電容孔；

電容介質層，共形地覆蓋所述下電極層的表面；

上電極層，共形地覆蓋所述電容介質層的表面；

電容極板，區塊狀位于所述襯底上并形成于所述上電極層上，所述電容極板包括由下至上依次疊置的金屬填充層及共形地覆蓋所述金屬填充層的導電覆蓋層，所述導電覆蓋層構成為上電極結構的頂表面層及側表面層，以供接合至少一第一互連結構于所述頂表面層上。

2.根據權利要求1所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，還包括上電極填充體，位于所述上電極層和所述電容極板之間并且無孔隙填滿所述電容孔，所述電容極板自所述上電極填充體的頂面延伸至所述襯底位于所述上電極填充體覆蓋區域外的周邊表面。

3.根據權利要求2所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，所述上電極填充體直接貼附于所述上電極層的表面還形成于相鄰的所述下電極層之間，所述上電極填充體具有頂面及側面，所述金屬填充層直接貼附于所述上電極填充體的所述頂面和所述側面。

4.根據權利要求1所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，所述金屬填充層填充于所述電容孔，以電連接至所述上電極層并使所述電容孔內為無孔隙填滿形態。

5.根據權利要求4所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，所述金屬填充層直接貼附于所述上電極層的表面，且所述金屬填充層還形成于所述下電極層之間。

6.根據權利要求1所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，所述上電極層無孔隙填滿所述電容孔，并電連接至所述電容極板。

7.根據權利要求1所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，還包括底層支撐層、中間支撐層及頂層支撐層，皆形成于所述襯底上并連接、支撐所述下電極層；所述底層支撐層位于所述下電極層的底部外圍，所述中間支撐層位于所述下電極層的中間部位，所述頂層支撐層位于所述下電極層的開口處外圍。

8.根據權利要求1所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，還包括：

介質層，形成于所述襯底上，并覆蓋于所述電容極板的上表面、側面及所述襯底上的周邊表面；

所述第一互連結構，位于所述介質層內且在所述電容極板上，并與所述電容極板的所述導電覆蓋層相連接；及

第二互連結構，位于所述介質層內且位于所述電容極板的覆蓋區域外，所述第二互連結構較長于所述第一互連結構。

9.根據權利要求8所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，所述襯底上形成有若干個電容接觸節點及連接焊墊，所述電容接觸節點與所述下電極層的底部相連接，所述連接焊墊與所述第二互連結構的底部相連接。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的集成電路電容器陣列結構，其特征在于，所述上電極層包括原子層沉積形成的氮化鈦層，所述金屬填充層包括鎢層，所述導電覆蓋層包括氮化鎢層。

11.一種半導體存儲器，其特征在于，所述半導體存儲器包括如權利要求1所述的集成電路電容器陣列結構。