[發(fā)明專利]高溫陶瓷復(fù)合材料的預(yù)處理

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811424363.2
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN109851397A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K.L.盧思拉
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 初明明;林毅斌

1. 一種涂層部件，其包含：

具有圍繞陶瓷核心的Si-處理層的陶瓷基質(zhì)，其中陶瓷核心包含碳化硅，其中Si-處理層經(jīng)預(yù)處理以使其表面性質(zhì)適合于在Si-處理層暴露于氧時，抑制或延緩碳氧化物的形成；和

在陶瓷基質(zhì)的Si-處理層上的環(huán)境屏障涂層。

2.權(quán)利要求1的涂層部件，其中Si-處理層經(jīng)預(yù)處理以使環(huán)境屏障涂層直接涂布于其上，而在這兩者之間沒有硅粘結(jié)涂層。

3.權(quán)利要求1的涂層部件，其中環(huán)境屏障涂層直接在陶瓷基質(zhì)的Si-處理層上。

4.權(quán)利要求1的涂層部件，其中陶瓷核心包含具有第一比例的硅與碳的碳化硅，和其中Si-處理層包含具有第二比例的硅與碳的碳化硅，其中相對于第一比例，第二比例具有更大量的硅。

5. 權(quán)利要求1的涂層部件，其中Si-處理層是陶瓷核心構(gòu)成整體所需要的，并具有從Si-處理層的外表面向陶瓷核心延伸至陶瓷基質(zhì)約750 μm或更少的深度。

6. 權(quán)利要求5的涂層部件，其中Si-處理層的深度為25 μm-約260 μm。

7.權(quán)利要求1的涂層部件，其中Si-處理層是陶瓷核心上的施加層。

8. 權(quán)利要求7的涂層部件，其中Si-處理層的厚度為約1 μm-約250 μm。

9.權(quán)利要求7的涂層部件，其還包含：

在陶瓷核心和Si-處理層之間的屏障層。

10.權(quán)利要求9的涂層部件，其中所述屏障層包含稀土二硅酸鹽。