[發明專利]一種多層背電極及其制備方法和一種太陽能電池

在審

• 申請號: 201811423088.2
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111223941A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 孫合成;衛成剛;左悅
• 申請（專利權）人: 華夏易能（南京）新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 陳丹;張奎燕

1.一種多層背電極，所述多層背電極包括至少三層Mo膜層，所述至少三層Mo膜層包括：

形成在襯底上的第一Mo膜層，所述第一Mo膜層具有張應力結構；

位于所述多層背電極的表層的第二Mo膜層，所述第二Mo膜層具有張應力結構；以及

形成在所述第一Mo膜層與所述第二Mo膜層之間的第三Mo膜層，所述第三Mo膜層具有壓應力結構。

2.根據權利要求1所述的多層背電極，其中，所述多層背電極包括三層Mo膜層，所述三層Mo膜層包括形成在所述襯底上的所述第一Mo膜層、形成在所述第一Mo膜層上的所述第三Mo膜層以及形成在所述第三Mo膜層上的所述第二Mo膜層。

3.根據權利要求1所述的多層背電極，其中，

所述第一Mo膜層與所述第三Mo膜層之間形成有一層或更多層具有張應力結構的Mo膜層和/或具有壓應力結構的Mo膜層；和/或

所述第三Mo膜層與所述第二Mo膜層之間形成有一層或更多層具有張應力結構的Mo膜層和/或具有壓應力結構的Mo膜層。

4.根據權利要求2或3所述的多層背電極，其中，所述第二Mo膜層的厚度為8nm-20nm。

5.一種制備多層背電極的方法，所述方法包括：

在襯底上形成第一Mo膜層，所述第一Mo膜層具有張應力結構；

在所述第一Mo膜層上形成第三Mo膜層，所述第三Mo膜層具有壓應力結構；以及

在所述第三Mo膜層上形成第二Mo膜層，所述第二Mo膜層具有張應力結構。

6.根據權利要求5所述的方法，所述方法還包括：在襯底上形成第一Mo膜層之后，在所述第一Mo膜層上形成第三Mo膜層之前，

在所述第一Mo膜層上形成一層或更多層具有張應力結構的Mo膜層和/或具有壓應力結構的Mo膜層，然后在所述一層或更多層具有張應力結構的Mo膜層和/或具有壓應力結構的Mo膜層上形成所述第三Mo膜層。

7.根據權利要求5或6所述的方法，所述方法還包括：在形成所述第三Mo膜層之后，在所述第三Mo膜層上形成第二Mo膜層之前，

在所述第三Mo膜層上形成一層或更多層具有張應力結構的Mo膜層和/或具有壓應力結構的Mo膜層，然后在所述一層或更多層具有張應力結構的Mo膜層和/或具有壓應力結構的Mo膜層上形成所述第二Mo膜層。

8.根據權利要求5或6所述的方法，其中，形成所述第二Mo膜層采用的方法為磁控濺射法。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，采用磁控濺射法形成所述第二Mo膜層時的壓力為2Pa-8Pa，濺射功率密度為1.5w/cm²-2w/cm²。

10.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括根據權利要求1-4中任一項所述的多層背電極或根據權利要求5-9中任一項所述的方法制備得到的多層背電極。