[發(fā)明專利]感測元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811416477.2 | 申請日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN110707175B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 游騰健 | 申請(專利權(quán))人: | 精準(zhǔn)基因生物科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/101 | 分類號: | H01L31/101 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新北市淡*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 元件 | ||
1.一種感測元件,包括:
半導(dǎo)體基板,具有樣品激發(fā)區(qū)以及光學(xué)感測區(qū),所述光學(xué)感測區(qū)側(cè)向包圍所述樣品激發(fā)區(qū)于其中;
過濾結(jié)構(gòu),嵌設(shè)于所述半導(dǎo)體基板中,其中所述過濾結(jié)構(gòu)配置于所述樣品激發(fā)區(qū)中且具有樣品容納部,所述樣品容納部適于容納樣品且接納激發(fā)光束;以及
感測結(jié)構(gòu),嵌設(shè)于所述半導(dǎo)體基板中,其中所述感測結(jié)構(gòu)的至少一部分配置于所述光學(xué)感測區(qū)中,且所述感測結(jié)構(gòu)至少側(cè)向包圍所述過濾結(jié)構(gòu),
其中,在所述激發(fā)光束沿著垂直于所述半導(dǎo)體基板的表面的方向傳遞至所述樣品容納部并激發(fā)所述樣品后,所述樣品適于發(fā)射信號光束,且所述感測結(jié)構(gòu)適于感測所述信號光束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測元件,其中所述感測結(jié)構(gòu)包括:
第一摻雜半導(dǎo)體區(qū),至少側(cè)向包圍所述過濾結(jié)構(gòu);以及
至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū),嵌設(shè)于所述第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)中,其中所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的其中第一個位于所述過濾結(jié)構(gòu)與所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的其中第二個之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測元件,其中所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的所述第一個環(huán)繞所述過濾結(jié)構(gòu),所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的所述第二個環(huán)繞所述過濾結(jié)構(gòu)與所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的所述第一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測元件,其中所述第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)與所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)形成至少兩個光傳感器的部分,且所述至少兩個光傳感器適于分別感測所述信號光束中具有不同波長的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測元件,其中所述感測結(jié)構(gòu)還包括至少兩個柵極以及至少兩個浮置擴(kuò)散區(qū),各個所述第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)與各個所述浮置擴(kuò)散區(qū)分別位于一個所述柵極的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測元件,其中所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的所述第一個包括彼此分離的第一子區(qū)與第二子區(qū),所述至少兩個第二摻雜半導(dǎo)體區(qū)的所述第二個包括彼此分離的第三子區(qū)與第四子區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測元件,其中所述第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)包覆所述過濾結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測元件,其中所述第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)包覆所述過濾結(jié)構(gòu)的底部表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測元件,還包括隔離結(jié)構(gòu),所述隔離結(jié)構(gòu)側(cè)向包圍所述感測結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測元件,還包括信號干涉過濾器,所述信號干涉過濾器設(shè)置于所述過濾結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體基板之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





