[發明專利]一種Si4+ 在審
| 申請號： | 201811412927.0 | 申請日： | 2018-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN111218276A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 啟東茂材實業有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/68 | 分類號： | C09K11/68 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 226265 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 si base sup | ||
【權利要求書】：
1.一種Si4+、Ge4+和Sn4+離子摻雜的LiGa5O8:Cr3+的制備方法，其特征在于包括如下步驟：將15-25份Li2CO3Ga2O3、10-20份Cr2O3、7-9份SiO2、2-4份GeO2和1-2份SnO2置入瑪瑙研缽中，混合并充分研磨1.5-2.5h，對研磨后的粉末混合物進行壓片，然后放入高溫馬弗爐，在空氣氣氛中升溫至1320-1340℃煅燒11-13h，隨爐冷卻至室溫后取出即得；各原料均為重量份。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：混合并充分研磨2h。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在空氣氣氛中升溫至1330℃煅燒12h。
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