[發明專利]一種MoS2

在審

• 申請號: 201811410612.2
• 申請日: 2018-11-24
• 公開（公告）號: CN111215097A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 啟東茂材實業有限公司
• 主分類號: B01J27/051
• 分類號: B01J27/051;B01J20/02;C02F1/30;C02F101/30
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本發明公開了一種MoS₂/Sb₂S₃復合光催化劑的制備方法，步驟如下：將SbCl₃和CH₃CSNH₂溶解在無水乙醇中，在氮氣氣氛下攪拌25?35min，離心分離，得到亮橙色前驅體；將制備的前驅體溶解在去離子水中，磁力攪拌，得到Sb₂S₃前驅體溶液，加入H₃₂Mo₇N₆O₂₈和CH₄N₂S，攪拌得到混合溶液；將混合溶液轉移到反應釜中，放入馬弗爐中密封加熱至165?175℃，持續25?27h，冷卻至室溫后，離心分離，洗滌，烘干，冷卻即得。該方法簡便、快捷、易操作，制備的MoS₂/Sb₂S₃復合光催化劑對羅丹明B的光催化降解具有較高的效率，表現出優異的吸附性能和光催化性能，具有一定的應用價值。

技術領域

本發明涉及一種MoS₂/Sb₂S₃復合光催化劑的制備方法。

背景技術

近年來，納米半導體光催化技術由于其在可替代能源與環境修復方面的巨大優勢而獲得廣泛關注，在工業生產中也得到了應用。各種各樣的半導體光催化材料如TiO₂、CdS、ZnO和不同形貌結構如花狀（SnWO₄）、棒狀（ZnO）、片狀（BiVO₄）的二元金屬氧化物在光催化領域都得到一定的應用。然而，TiO₂和ZnO等光催化劑具有較寬的帶隙結構，只對紫外光具有較強的響應，對于自然光的利用率較低，因此利用其他材料特殊的性質與TiO₂等光催化劑復合，從而提高其光催化性能成為新的研究熱點。

目前，金屬硫化物如Sb₂S₃、Bi₂S₃由于較窄的帶隙結構，在可見光區具有強響應性而引發了廣泛的關注。在眾多的二元金屬硫化物中，隸屬于正交晶系的直接帶隙半導體材料Sb₂S₃，由于其強的光譜響應，較高的熱帶能，優良的光電性質，在太陽能轉換，光催化，熱電冷卻等領域得到了廣泛應用，同時作為一種光催化劑，與TiO₂和ZnO相比在可見光區具有更高的光催化降解效率。Sb₂S₃的主要缺點是光生電子空穴對容易發生復合，電子遷移速率較慢。提高Sb₂S₃的載流子遷移速率，利用電子空穴對在水中的氧化機制提高其分離效率被認為是有效降解有機污染物的關鍵，因此在設計有效降低光生電子空穴復合率的復合材料成為研究熱點。為了促進Sb₂S₃光生載流子的有效分離，一些半導體材料（TiO₂、ZnO）或者導體材料（rGO、碳納米管CNT）與Sb₂S₃復合，作為電子遷移受體，大大提高了Sb₂S₃光生載流子遷移速率與分離效率。