[發明專利]有機膜的刻蝕方法和顯示基板顯示區域電路的修補方法

有效

• 申請號: 201811407799.0
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109546012B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 包征;范磊;辛燕霞
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅瑞芝;陳源

本發明提供一種有機膜的刻蝕方法和顯示基板顯示區域電路的修補方法。該有機膜的刻蝕方法包括通過聚焦離子束對有機膜的待刻蝕位置進行刻蝕，刻蝕過程中，向有機膜的待刻蝕位置的待刻蝕面上通入水汽。該有機膜的刻蝕方法，通過在聚焦離子束刻蝕有機膜的工藝過程中向待刻蝕面上通入水汽，能夠有針對性地快速刻蝕有機膜的待刻蝕位置，且在刻蝕過程中不會對有機膜的其他非刻蝕位置造成刻蝕損傷，從而解決了現有的濃硫酸刻蝕所導致的非刻蝕位置遭到刻蝕損傷的問題，同時還加快了刻蝕速度。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種有機膜的刻蝕方法和顯示基板顯示區域電路的修補方法。

背景技術

柔性OLED顯示面板因對比度高、色域廣、響應速度快、可彎曲等優點，越來越多地被應用于智能顯示終端，成為下一代顯示技術。

柔性OLED顯示面板由多層薄膜堆疊而成，由于TFT像素驅動電路位于基板底部，因此無法對顯示區TFT電學特性進行直接測試，需要通過對制作在面板邊緣區的TFT的電學特性進行測試，然后通過面板邊緣區的TFT電學特性推測顯示區TFT的電學特性。但由于面板上所沉積膜層的均一性難以控制，再加上TFT周圍物理因素(TFT互聯、金屬間電容)不同，邊緣區TFT的電學特性很難真實地反映顯示區TFT的電學特性。因此，目前正在嘗試對顯示區TFT的電學特性進行實際測試。

實際測試TFT電學特性的過程中，由于顯示面板比較厚，測試前通常先剝離OLED顯示面板的TFE封裝層，但TFE封裝層剝離之后，TFT上方仍然覆蓋有較厚的一層有機層(如PR膠)。目前通常是將TFE封裝層剝離后的顯示面板放入濃硫酸(98％)中浸泡，以便將PR膠刻蝕掉，裸露出TFT的源漏電極線，再進行TFT電學特性測試。但濃硫酸具有強烈的腐蝕性，刻蝕時不僅會將PR膠刻蝕掉，而且會將位于顯示面板背面的其他有機層(如PI膠)也刻蝕掉一部分，引起顯示面板卷曲，導致其TFT電學特性無法正常測試。

發明內容

本發明針對現有技術中存在的上述技術問題，提供一種有機膜的刻蝕方法和顯示基板顯示區域電路的修補方法。該有機膜的刻蝕方法，通過在聚焦離子束刻蝕有機膜的工藝過程中向待刻蝕面上通入水汽，能夠有針對性地快速刻蝕有機膜的待刻蝕位置，且在刻蝕過程中不會對有機膜的其他非刻蝕位置造成刻蝕損傷，從而解決了現有的濃硫酸刻蝕所導致的非刻蝕位置遭到刻蝕損傷的問題，同時還加快了刻蝕速度。

本發明提供一種有機膜的刻蝕方法，包括通過聚焦離子束對所述有機膜的待刻蝕位置進行刻蝕，刻蝕過程中，向所述有機膜的所述待刻蝕位置的待刻蝕面上通入水汽。

優選地，通入的所述水汽的溫度范圍為20～35℃。

優選地，所述有機膜的刻蝕環境中通入水汽后的氣壓范圍為(2～3)×10^-5mBar。

優選地，所述有機膜的材料包括PI膠或PR膠。

優選地，所述有機膜的刻蝕在實時抽真空環境中進行。

本發明還提供一種顯示基板顯示區域電路的修補方法，所述顯示基板包括基板和設置于所述基板上的有機膜，所述基板中對應在顯示區域設置有電路走線，所述有機膜覆蓋于所述電路走線上方，用于保護所述電路走線，所述修補方法包括：采用上述有機膜的刻蝕方法對所述有機膜的目標位置進行刻蝕，使刻蝕后的所述有機膜的所述目標位置的厚度為預設厚度；對所述基板中的待修補電路走線進行修補；所述待修補電路走線與所述目標位置的位置相對應。

優選地，所述對所述基板中的待修補電路走線進行修補包括：

通過成像設備透過所述有機膜的所述目標位置對所述基板中的所述待修補電路走線進行成像，以對所述基板中的所述待修補電路走線進行預定位。

優選地，所述預設厚度為1μm。