[發明專利]形成三維存儲器的方法

有效

• 申請號: 201811404743.X
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109524409B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 肖莉紅;胡斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種形成三維存儲器的方法，包括：

提供半導體結構，所述半導體結構具有第一襯底、位于第一襯底上的堆疊的第一堆棧以及穿過所述第一堆棧的多個第一溝道層；

在所述第一堆棧的表面覆蓋與所述第一堆棧鍵合的剝離層，所述剝離層的材料為單晶硅；

圖案化所述剝離層形成導電圖案層，所述導電圖案層包括多個相互隔離的中間導電部；

形成覆蓋所述導電圖案層的第二堆棧；

形成穿過所述第二堆棧的多個第二溝道層，每一第二溝道層通過中間導電部電連接至對應的第一溝道層。

2.根據權利要求1所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，形成與所述第一堆棧鍵合的剝離層的步驟包括：

在第二襯底的表面形成剝離層，

鍵合所述第二襯底與所述第一堆棧，所述第二襯底具有所述剝離層的一面接觸所述第一堆棧；

將所述剝離層與所述第二襯底分離。

3.根據權利要求2所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，采用等離子體注入工藝在所述第二襯底的表面形成剝離層。

4.根據權利要求3所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，所述等離子體為氫等離子體。

5.根據權利要求1所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，圖案化所述剝離層形成導電圖案層的步驟之后還包括：在所述多個中間導電部之間填充絕緣材料，以形成隔離所述多個中間導電部的層間絕緣層。

6.根據權利要求1所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，形成穿過所述第二堆棧的多個第二溝道層的步驟包括：在所述第二溝道層的底部形成硅外延層，所述硅外延層的至少一部分嵌入到所述中間導電部中。

7.根據權利要求1所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，形成穿過所述第二堆棧的多個第二溝道層時，對齊所述第二溝道層的中心線與所述第一溝道層的中心線。

8.根據權利要求7所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，采用光學對準法對齊所述第二溝道層的中心線與所述第一溝道層的中心線。

9.根據權利要求1所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，圖案化所述剝離層形成導電圖案層的步驟包括：在剝離層的表面覆蓋刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層上具有圖案，通過曝光、光刻和刻蝕工藝將所述刻蝕阻擋層上的圖案轉移到所述剝離層上。

10.根據權利要求5所述的形成三維存儲器的方法，其特征在于，形成隔離所述多個中間導電部的層間絕緣層之后還包括：平坦化所述導電圖案層和所述層間絕緣層。