[發明專利]一種銻化鎵單晶片上下表面打磨設備

在審

• 申請號: 201811394223.5
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN109434591A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 王歆;吳秀麗;陳琳
• 申請（專利權）人: 湖南大合新材料有限公司
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22;B24B27/00;B24B41/02;B24B41/06;B24B7/07
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 曾志鵬

本發明包括底座，其左上端設置有柜體，柜體的上端設置有支撐架，支撐架上安裝有有上表面打磨機構；上表面打磨機構包括第一電機、與第一電機輸出軸相連的轉軸、設置在轉軸末端的打磨盤；底座的上端設置有固定板，固定板上固定設置支撐座，支撐座上設置有第二直線導軌，第二直線導軌上安裝有升降座，升降座與升降機構連接實現上下升降，升降座上設置有第二電機，第二電機的輸出軸連接真空吸盤，銻化鎵單晶片安裝在真空吸盤上。本發明能夠對2?5mm厚的銻化鎵單晶片進行快速夾裝和對銻化鎵單晶片上表面進行快速打磨，打磨效果好，效率高，解決了傳統手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。

技術領域

本發明涉及一種銻化鎵單晶片上下表面打磨設備。

背景技術

銻化鎵是一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料,對它的研究遠不如其他半導體材料(如GaAs,InP等)那樣深入。但近些年來這種材料越來越引起人們興趣,這主要是光纖通信技術的發展,對新器件的潛在需求而引起的。在光通信中為了減少傳輸中的損耗,總是盡可能采用較長波長的光,最早使用0.8μm波長的光,現在使用1.55μm波長的光。據估計下一代光纖通信將采用更長波長的光。研究表明某些非硅材料光纖在波長為(2～4)μm的范圍時傳輸損耗更小。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中,銻化鎵作為襯底材料引起了更多的注意,因為它可以與各種Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數相匹配,這些材料光譜的范圍在(0.8～4.0)μm之間,正好符合要求。另外,利用銻化鎵基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長波長(8～14)μm范圍的探測器。

現有儀器中對銻化鎵單晶片表面光滑度越來越講究，而對銻化鎵單晶片表面的打磨大多采用手工打磨，手工打磨存在打磨不均勻，打磨效率低等缺陷。

發明內容

本發明的目的是針對以上問題，提供一種銻化鎵單晶片上下表面打磨設備，結構簡單，自動化程度高，能夠對2-5mm厚的銻化鎵單晶片進行快速夾裝和對銻化鎵單晶片上下表面進行快速打磨，打磨效果好，效率高，解決了傳統手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。

為實現以上目的，本發明采用的技術方案是：它包括底座，其上端設置有支撐架，支撐架的上端設置有頂梁，頂梁的底部設置有第一直線導軌，第一直線導軌上安裝有滑鞍，滑鞍的左端設置有銻化鎵單晶片表面打磨機構；滑鞍的右端與橫向推進機構連接，實現左右移動；銻化鎵單晶片表面打磨機構包括第一電機、與第一電機輸出軸相連的轉軸、設置在轉軸末端的打磨盤；支撐架的左側設置有第二直線導軌，第二直線導軌上安裝有升降座，升降座與升降機構連接實現上下升降，升降座上設置有第二電機，第二電機的輸出軸連接真空吸盤，銻化鎵單晶片安裝在真空吸盤上，打磨盤設置在銻化鎵單晶片的正上方。

進一步的，升降機構包括滾珠絲桿和第三電機，滾珠絲桿與第三電機的輸出軸連接，滾珠絲桿的螺母與升降座固定連接。

進一步的，橫向推進機構包括設置在滑鞍的右端的齒條，齒條穿過支撐架上的通孔后與第四電機輸出軸上的齒輪相互嚙合，第四電機安裝在頂梁右側的固定架上。

進一步的，銻化鎵單晶片表面打磨機構的外側設置有保護罩。

本發明的有益效果：本發明提供了一種銻化鎵單晶片上下表面打磨設備，結構簡單，自動化程度高，能夠對2-5mm厚的銻化鎵單晶片進行快速夾裝和對銻化鎵單晶片上下表面進行快速打磨，打磨效果好，效率高，解決了傳統手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。

本發明可以對銻化鎵單晶片上表面進行打磨，當上表面打磨完成后，將銻化鎵單晶片在真空吸盤上取下，將底面朝上重新安裝在真空吸盤上，再次進行打磨，從而實現銻化鎵單晶片上下表面的打磨。

本發明第三電機旋轉帶動滾珠絲桿旋轉，使升降座上下升降，升降座上升過程中的同時，第一電機帶動打磨盤高速旋轉，銻化鎵單晶片在上升過程中實現銻化鎵單晶片上表面快速打磨，提高了生產效率。

本發明橫向推進機構可以驅動銻化鎵單晶片表面打磨機構進行左右移動，從而實現銻化鎵單晶片上表面全面打磨，提高打磨效果。