[發(fā)明專利]金屬掩模基材、金屬掩模基材的管理方法、金屬掩模以及金屬掩模的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811389315.4 | 申請日: | 2016-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN109440062B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田村純香;三上菜穗子;藤戶大生;西辻清明;西剛廣 | 申請(專利權)人: | 凸版印刷株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/12;C23F1/02;C23C14/24;H01L51/56;G01N21/55 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 基材 管理 方法 以及 制造 | ||
本發(fā)明涉及金屬掩模基材、金屬掩模基材的管理方法、金屬掩模以及金屬掩模的制造方法。金屬掩模基材具備構成為配置有抗蝕劑的金屬制的表面,入射到表面的光的鏡面反射的反射率為45.2%以上。
本申請是申請日為2016年3月22日、申請?zhí)枮?01680013004.0、發(fā)明名稱為《金屬掩模基材、金屬掩模基材的管理方法、金屬掩模以及金屬掩模的制造方法》的分案申請。
技術領域
本發(fā)明涉及具備用于配置有抗蝕劑的金屬制的表面且用于形成例如有機EL元件用金屬掩模的金屬掩模基材、金屬掩模基材的管理方法、金屬掩模以及金屬掩模的制造方法。
背景技術
在有機EL元件用的金屬掩模的制造中,使用例如作為金屬板的金屬掩模基材。在金屬掩模基材所具有的涂敷面上,涂敷含有抗蝕劑層的形成材料的涂液,由此形成抗蝕劑層。然后,對抗蝕劑層進行曝光和顯影,由此形成具有規(guī)定圖案的抗蝕劑層,經由抗蝕劑層對金屬掩模基材進行蝕刻,由此制造出金屬掩模。
在上述的抗蝕劑層的形成中,由于向涂敷面上涂敷的涂液的量、涂液被干燥的程度存在偏差(不均勻),而有時抗蝕劑層的厚度存在偏差、或者在抗蝕劑層的面內厚度存在偏差。因此,為了抑制抗蝕劑層中的這種偏差,提出使用干膜抗蝕劑作為抗蝕劑層(例如,參照專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2013-209710號公報
發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題
然而,使用涂液形成的抗蝕劑層是對金屬掩模基材直接涂敷的涂液在涂敷面上固化而得到的層,因此容易形成追隨涂敷面的形狀,由此,容易相對于金屬掩模基材緊貼。另一方面,由干膜抗蝕劑形成的抗蝕劑層是與金屬掩模基材相獨立的層粘貼在金屬掩模基材的一個面上而得到的層,因此具有與由涂液形成的抗蝕劑層相比難以追隨涂敷面的形狀,由此,有時抗蝕劑層的一部分會從金屬掩模基材剝離。
此外,不限于由金屬板形成的金屬掩模基材,例如,只要是如樹脂層與金屬層的層疊體、樹脂層被金屬層夾持的層疊體那樣、與抗蝕劑層接觸的面為金屬制或者合金制的金屬掩模基材,則上述情況都是共通的。此外,即使是使用含有抗蝕劑層的形成材料的涂液而形成的抗蝕劑層,在相對于金屬掩模基材的緊貼性較低的抗蝕劑層中,上述情況也是共通的。
本發(fā)明的目的在于,提供具備能夠提高抗蝕劑與表面的界面的緊貼性的表面的金屬掩模基材、金屬掩模基材的管理方法、金屬掩模以及金屬掩模的制造方法。
用于解決課題的手段
用于解決上述課題的金屬掩模基材,具有構成為配置有抗蝕劑的金屬制的表面,入射到上述表面的光的鏡面反射(specular reflection)的反射率為45.2%以上。
用于解決上述課題的金屬掩模基材的管理方法具備如下步驟:準備具備構成為配置有抗蝕劑的金屬制的表面的金屬掩模基材;使光向上述表面入射;對入射到上述表面的光之中由上述表面鏡面反射的光的光量進行測定;作為上述鏡面反射的光的光量相對于入射到上述表面的光的光量之比,對上述鏡面反射的反射率進行計算;以及判定上述鏡面反射的反射率是否為45.2%以上。
本申請的發(fā)明人在對金屬掩模基材的表面的狀態(tài)進行專心研究的過程中發(fā)現:入射到表面的光的鏡面反射的反射率,與表面的三維表面粗糙度Sa以及表面的三維表面粗糙度Sz分別具有以下的相關性。即,發(fā)現:隨著三維表面粗糙度Sa以及三維表面粗糙度Sz分別變小,鏡面反射的反射率變高。
并且發(fā)現:如果鏡面反射的反射率為45.2%以上,則抗蝕劑與表面的界面的緊貼性提高,由此表面粗糙度變小到抗蝕劑不易從表面剝離的程度。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
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C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





