[發明專利]金屬掩模基材、金屬掩模基材的管理方法、金屬掩模以及金屬掩模的制造方法有效
| 申請號: | 201811389315.4 | 申請日: | 2016-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN109440062B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 田村純香;三上菜穗子;藤戶大生;西辻清明;西剛廣 | 申請(專利權)人: | 凸版印刷株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/12;C23F1/02;C23C14/24;H01L51/56;G01N21/55 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 基材 管理 方法 以及 制造 | ||
1.一種金屬掩模基材,具備金屬制的表面,該金屬制的表面構成為配置有抗蝕劑,其特征在于,
從鹵素燈射出且入射角度相對于上述表面的法線方向為45°±0.2°的光的鏡面反射下的反射率為45.2%以上。
2.如權利要求1所述的金屬掩模基材,其特征在于,
在上述表面中,
三維表面粗糙度Sa為0.11μm以下,
三維表面粗糙度Sz為3.17μm以下。
3.如權利要求1或2所述的金屬掩模基材,其特征在于,
上述表面為第1面,
上述抗蝕劑為第1抗蝕劑,
上述金屬掩模基材還具備金屬制的第2面,上述第2面為與上述第1面相反側的面,并且構成為配置有第2抗蝕劑,
從鹵素燈射出且入射角度相對于上述第2面的法線方向為45°±0.2°的光的鏡面反射下的反射率為45.2%以上。
4.如權利要求1或2所述的金屬掩模基材,其特征在于,
上述表面為因瓦合金制。
5.如權利要求1或2所述的金屬掩模基材,其特征在于,
上述抗蝕劑為干膜抗蝕劑,
上述表面構成為粘貼有上述干膜抗蝕劑。
6.一種金屬掩模基材的管理方法,其特征在于,具備如下步驟:
準備具備金屬制的表面的金屬掩模基材,該金屬制的表面構成為配置有抗蝕劑;
使從鹵素燈射出且入射角度相對于上述表面的法線方向為45°±0.2°的光向上述表面入射;
對入射到上述表面的光之中的由上述表面進行了鏡面反射的光的光量進行測定;
作為進行了上述鏡面反射的光的光量相對于入射到上述表面的光的光量之比,對上述鏡面反射下的反射率進行計算;以及
判斷上述鏡面反射下的反射率是否為45.2%以上。
7.如權利要求6所述的金屬掩模基材的管理方法,其特征在于,
上述抗蝕劑為干膜抗蝕劑,
上述表面構成為粘貼有上述干膜抗蝕劑。
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