[發明專利]一種用于制作主動開關的光罩和顯示面板的制作方法有效
| 申請號: | 201811389226.X | 申請日: | 2018-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN109343304B | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發明(設計)人: | 吳川 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/54 | 分類號: | G03F1/54;G03F1/00 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 制作 主動 開關 顯示 面板 制作方法 | ||
本發明公開了一種用于制作主動開關的光罩和顯示面板的制作方法,所述光罩包括遮光區,對應所述主動開關的金屬層,被配置為不透光;半透光區,對應所述主動開關的溝道區,被配置為部分透光;透光區,為除所述遮光區和所述半透光區外的其它的光罩區域,被配置為完全透光;鏤空區,位于所述半透光區內,被配置為完全透光;所述半透光區包括半圓環形的區域和直線形的區域,所述鏤空區位于所述半透光區的半圓環形的區域內。本申請在半透光區上設置鏤空區,鏤空區可以增加半透光區的透光量,從而可以減輕曝光時候的失焦現象,提升工藝良率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種用于制作主動開關的光罩和顯示面板的制作方法。
背景技術
四道制程工藝,常用在顯示面板生產中,其作用是將非晶硅層和數據線或者源漏極金屬層合成一張光罩,相比傳統五道制程工藝,其減少一道光刻工藝,能提升生產效率。四道制程工藝中的每一道光罩制程,都會經過曝光、顯影、刻蝕、光阻膠剝離步驟;在實際生產過程中,因為光線具有一定的散射作用,會影響主動開關的曝光質量。
主動開關的圓弧形的溝道區在曝光時會失焦。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種能減輕溝道處曝光時發生失焦的問題的一種用于制作主動開關的光罩和顯示面板的制作方法。
為實現上述目的,本發明提供了一種用于制作主動開關的光罩,包括遮光區,對應所述主動開關的金屬層,被配置為不透光;半透光區,對應所述主動開關的溝道區,被配置為部分透光;透光區,為除所述遮光區和所述半透光區外的其它的光罩區域,被配置為完全透光;鏤空區,位于所述半透光區內,被配置為完全透光;所述半透光區包括半圓環形的區域和直線形的區域,所述鏤空區位于所述半透光區的半圓環形的區域內。
可選的,所述鏤空區包括鏤空結構,所述鏤空結構設為狹縫。
可選的,所述狹縫為直線形。
可選的,所述狹縫有多條,多條所述狹縫的延長線相交于同一交點。
可選的,所述狹縫寬度大于或等于0.1微米,且小于或等于2微米。
可選的,所述金屬層包括源極金屬層和漏極金屬層;所述遮光區包括第一遮光區和第二遮光區,所述第一遮光區對應所述漏極金屬層;所述第二遮光區對應所述源極金屬層;所述鏤空區連接所述第一遮光區和第二遮光區。
可選的,所述半透光區的寬度大于或等于2.8微米,且小于或等于5微米。
本發明還公開了一種用于制作主動開關的光罩,包括:遮光區,對應所述主動開關的金屬層,被配置為不透光;半透光區,對應所述主動開關的溝道區,被配置為部分透光;透光區,為除所述遮光區和所述半透光區外的其它的光罩區域,被配置為完全透光;鏤空區,位于所述半透光區內,被配置為完全透光;
所述鏤空區包括鏤空結構,所述鏤空結構設為狹縫,所述狹縫為直線形;所述狹縫寬度大于或等于0.1微米,且小于或等于2微米;
所述金屬層包括源極金屬層和漏極金屬層;所述遮光區包括第一遮光區和第二遮光區,所述第一遮光區對應所述漏極金屬層;所述第二遮光區對應所述源極金屬層;所述鏤空區連接所述第一遮光區和第二遮光區;
所述狹縫有多條,多條所述狹縫的延長線相交于同一交點;所述第一遮光區包括半圓環形的區域,所述交點為所述第一遮光區的半圓環形的區域的圓心;
所述半透光區包括半圓環形的區域和直線形的區域,所述鏤空區位于所述半透光區的半圓環形的區域內;
多條所述狹縫均勻分布在所述半透光區的所述半圓環形的區域內;
所述半透光區的寬度大于或等于2.8微米,且小于或等于5微米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于惠科股份有限公司,未經惠科股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811389226.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種基于內錐鏡面掃描全景成像的微鉆視覺檢測方法及裝置
- 下一篇:一種清洗設備
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





