[發明專利]一種用于高密度面陣性能驗證的測試結構

有效

• 申請號: 201811387834.7
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN109378280B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 于春蕾;李雪;邵秀梅;龔海梅
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種用于高密度面陣性能驗證的測試結構，包括半絕緣InP襯底(1)、N型InP緩沖層(2)、InGaAs吸收層(3)、N型InP帽層(4)、光敏區(5)、P電極(6)、N電極(7)，其特征在于：

光敏區(5)由18組有效面積為60μmⅹ60μm的探測器光敏元陣列組成，每組探測器陣列共同引出一個P電極，所有探測器陣列共用一個N電極；

所述的光敏元陣列中，第1-6組陣列規模為6ⅹ6，擴散孔中心距為10μm，其中第1-3組擴散孔形狀為方形，邊長分別為3μm、4μm、5μm；第4-6組擴散孔形狀為圓形，直徑分別為3μm、4μm、5μm；第7-12組陣列規模為4ⅹ4，擴散孔中心距為15μm，其中第7-9組擴散孔形狀為方形，邊長分別為8μm、9μm、10μm；第10-12組擴散孔形狀為圓形，直徑分別為8μm、9μm、10μm；第13-18組陣列規模為3ⅹ3，擴散孔中心距為20μm，其中第13-15組擴散孔形狀為方形，邊長分別為13μm、14μm、15μm；第16-18組擴散孔形狀為圓形，直徑分別為13μm、14μm、15μm。