[發明專利]SiC外延生長裝置

有效

• 申請號: 201811380441.3
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109841542B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 本山和道;奧野好成;梅田喜一;深田啟介
• 申請（專利權）人: 株式會社力森諾科
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;C30B29/36;C30B25/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張軼楠;段承恩

1.一種SiC外延生長裝置，具備：

基座，具有能夠載置晶片的載置面；和

加熱器，在形成成膜空間的腔室內在所述基座的與所述載置面相反側與所述基座分離地設置，

在俯視時與載置于所述基座的晶片的外周部重疊的位置，在與所述加熱器的所述基座側的第1面相對的所述基座的被輻射面形成有凹凸，

所述加熱器和載置于所述基座的晶片配置成在俯視時為同心圓狀，

所述加熱器的外周端與載置于所述基座的晶片的外周端的徑向距離為所述晶片的直徑的1/12以下。

2.根據權利要求1所述的SiC外延生長裝置，

在將形成有所述凹凸的部分的表面積設為S₁、將使形成有所述凹凸的部分作為平坦面的情況下的面積設為S₀時，面積比率S₁/S₀為2以上。

3.根據權利要求1所述的SiC外延生長裝置，

所述凹凸由相對于基準面凹陷的多個凹部構成，所述凹部的深寬比為1以上。

4.根據權利要求1所述的SiC外延生長裝置，

所述基座包括輻射構件，在俯視時與載置于所述基座的晶片的外周部重疊的位置處的所述基座的背面設置有所述輻射構件，

在所述輻射構件的所述加熱器側的一個面具有所述凹凸。

5.根據權利要求1所述的SiC外延生長裝置，

還具備從與所述載置面相對的背面支承所述基座的中央部的中央支承部。

6.根據權利要求5所述的SiC外延生長裝置，

形成有所述凹凸的部分的徑向寬度為載置于所述基座的晶片的半徑的1/25以上且6/25以下。

7.根據權利要求1所述的SiC外延生長裝置，

還具備從與所述載置面相對的背面支承所述基座的外周端的外周支承部。

8.根據權利要求7所述的SiC外延生長裝置，

形成有所述凹凸的部分的徑向寬度為載置于所述基座的晶片的半徑的1/50以上且1/5以下。

9.根據權利要求4所述的SiC外延生長裝置，

所述輻射構件由與所述基座相比輻射率高的材料構成。

10.根據權利要求4所述的SiC外延生長裝置，

所述輻射構件的輻射率為所述基座的輻射率的1.5倍以上。

11.根據權利要求4所述的SiC外延生長裝置，

所述基座由被覆TaC的碳構成，

所述輻射構件由石墨或被覆SiC的碳或SiC構成。

12.根據權利要求1所述的SiC外延生長裝置，

在所述腔室內配置所述基座和所述加熱器，

所述基座和所述加熱器在俯視時是圓形，

所述加熱器的直徑小于所述腔室的直徑。