[發明專利]用于低噪聲放大器的系統和方法在審
| 申請號: | 201811375341.1 | 申請日: | 2015-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN109361364A | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | D.克雷爾;T.萊特納;P.奧利維拉 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張濤;申屠偉進 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 匹配網絡 導電路徑 耦合到 低噪聲放大器 參考端子 輸出網絡 輸入端子 控制端子 退化元件 輸出 第一端 耦合 通帶 | ||
1.一種低噪聲放大器LNA,包括:
多個分離的輸入端子;
多個晶體管,其中每個晶體管包括:
導電路徑,以及
控制端子,耦合到所述多個分離的輸入端子中的一個;以及
輸出網絡,耦合到第一參考端子、所述多個晶體管中的每個晶體管的導電路徑和所述LNA的單個輸出,其中所述輸出網絡包括多個匹配網絡,所述多個匹配網絡中的每個匹配網絡耦合在所述LAN的單個輸出與所述多個晶體管中的對應晶體管的導電路徑之間,以及所述多個匹配網絡中的每個匹配網絡包括不同的通帶;以及
退化元件,具有耦合到第二參考端子的第一端和耦合到所述多個晶體管中的每個晶體管的導電路徑的第二端。
2.根據權利要求1所述的LNA,其中所述退化元件包括電感器。
3.根據權利要求1所述的LNA,其中所述輸出網絡包括LC儲能電路。
4.根據權利要求1所述的LNA,其中所述輸出網絡包括與耦合到所述LNA的單個輸出的阻抗基本上匹配的復阻抗。
5.根據權利要求1所述的LNA,其中所述輸出網絡具有頻帶內的第一阻抗和頻帶外的第二阻抗,其中所述第二阻抗大于所述第一阻抗。
6.根據權利要求5所述的LNA,其中所述第一阻抗與耦合到所述LNA的單個輸出的阻抗基本上匹配。
7.根據權利要求1所述的LNA,進一步包括耦合到所述多個晶體管中的每個晶體管的控制端子的偏置網絡,其中所述偏置網絡被配置成一次激活所述多個晶體管中的一個晶體管。
8.根據權利要求1所述的LNA,其中所述多個晶體管中的每個晶體管是雙極結型晶體管BJT,并且所述多個晶體管中的每個晶體管的導電路徑連接在所述多個晶體管中的每個晶體管的集電極與發射極之間。
9.一種操作低噪聲放大器LNA的方法,包括:
在所述LNA的多個分離的輸入端子的第一輸入端子處接收第一信號;
在所述LNA的多個分離的輸入端子的第二輸入端子處接收第二信號;
在所述LNA的多個晶體管的第一晶體管處放大所述第一信號;
在所述LNA的多個晶體管的第二晶體管處放大所述第二信號;
在所述LNA的共享輸出線處組合所述第一信號和所述第二信號,所述共享輸出線耦合到第一和第二晶體管的導電端子;并且
在耦合到所述共享輸出線的單個耦合線上將所述第一信號和所述第二信號供給到處理電路,其中所述LNA還包括:
輸出匹配網絡,耦合到第一參考端子、所述多個晶體管中的每個晶體管的導電路徑和所述共享輸出線,其中所述輸出匹配網絡包括多個匹配網絡,所述多個匹配網絡中的每個匹配網絡耦合在所述共享輸出線與所述多個晶體管中的對應晶體管的導電端子之間,以及所述多個匹配網絡的每個匹配網絡包括不同的通帶;以及
退化元件,具有耦合到第二參考端子的第一端和耦合到所述多個晶體管中的每個晶體管的導電路徑的第二端。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述共享輸出線被形成在單個半導體管芯上。
11.根據權利要求9所述的方法,其中接收第一信號和接收第二信號被同時執行并且所述第一信號和所述第二信號被同時供給到所述處理電路。
12.根據權利要求9所述的方法,其中接收第一信號和第二信號包括從濾波器組接收第一信號和第二信號,所述濾波器組被耦合到天線電路,并且其中所述濾波器組、所述第一晶體管和所述第二晶體管與同一芯片的尺寸成比例彼此接近地設置在該同一芯片上。
13.根據權利要求12所述的方法,其中接近地設置包括緊接相鄰地設置在同一芯片上。
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