[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811375002.3
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN110379776B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林南君;徐宏欣
• 申請（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/522;H01L21/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：

晶粒，具有主動面及相對于所述主動面的背面，且包括多個連接墊；

密封體，密封所述晶粒的側(cè)壁，其中所述密封體具有第一表面及相對于所述第一表面的第二表面，所述第一表面與所述晶粒的所述背面共面，且所述第二表面與所述晶粒的所述主動面位于不同的水平高度；

阻擋結(jié)構(gòu)，配置于所述晶粒的所述主動面上且包括具有多個開口的網(wǎng)狀圖案，每一所述多個開口暴露出對應的所述多個連接墊，其中所述阻擋結(jié)構(gòu)的頂面基本上與所述密封體的所述第二表面共面；以及

重布線路結(jié)構(gòu)，位于所述密封體、所述阻擋結(jié)構(gòu)及所述晶粒上，其中所述重布線路結(jié)構(gòu)包括：

介電層，具有第一介電部分以及第二介電部分，其中所述第一介電部分位于所述阻擋結(jié)構(gòu)上，所述第二介電部分至少位于所述阻擋結(jié)構(gòu)的所述多個開口內(nèi)，所述第一介電部分的厚度小于所述第二介電部分的厚度，且所述第二介電部分具有暴露出所述多個連接墊的多個接觸開口；以及

線路層，位于所述介電層上且延伸至所述多個接觸開口中，以電性連接至所述晶粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述密封體的厚度大于所述晶粒的厚度，且所述晶粒的厚度與所述阻擋結(jié)構(gòu)的厚度的總和等于所述密封體的厚度。

3.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供具有阻擋結(jié)構(gòu)形成于其上的至少一晶粒，

其中所述至少一晶粒具有主動面及相對于所述主動面的背面，所述至少一晶粒包括位于所述主動面上的多個連接墊，以及所述阻擋結(jié)構(gòu)配置于所述晶粒的所述主動面上，且所述阻擋結(jié)構(gòu)包括具有多個開口的網(wǎng)狀圖案，且每一所述多個開口暴露出對應的所述多個連接墊；

將具有所述阻擋結(jié)構(gòu)形成于其上的所述至少一晶粒放置于載板上；

將模具放置于所述阻擋結(jié)構(gòu)上；

將密封材料填入介于所述模具與所述載板之間的間隙中；

固化所述密封材料，以形成密封體，且所述密封體密封所述至少一晶粒的側(cè)壁；

形成重布線路結(jié)構(gòu)于所述密封體、所述阻擋結(jié)構(gòu)及所述至少一晶粒的所述主動面上；以及

將所述載板從所述密封體與所述至少一晶粒上分離，其中在將所述模具放置于所述阻擋結(jié)構(gòu)上之前，將密封薄膜貼附于所述模具上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中提供具有所述阻擋結(jié)構(gòu)形成于其上的所述至少一晶粒的步驟包括：

提供晶圓，所述晶圓具有主動面及相對于所述主動面的背面，其中所述晶圓包括位于所述主動面上的所述多個連接墊；

形成阻擋材料層于所述晶圓的所述主動面上；

移除部份的所述阻擋材料層，以形成具有所述多個開口的所述阻擋結(jié)構(gòu)；以及

切割所述晶圓，以形成具有所述阻擋結(jié)構(gòu)形成于其上的多個晶粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述密封薄膜的楊氏模量小于1GPa，且所述密封體的楊氏模量介于10GPa至20GPa的范圍之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在將密封材料填入介于所述模具與所述載板之間的間隙中的步驟中，所述密封材料不覆蓋于所述晶粒的所述主動面。