[發(fā)明專利]具有直接敷銅基板的電子組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811372415.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109963399A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 克里斯多夫·J·施米特;理查德·E·溫賴特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 迪爾公司 |
| 主分類號(hào): | H05K1/02 | 分類號(hào): | H05K1/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 汪洋 |
| 地址: | 美國(guó)伊*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬總線 金屬島 金屬條帶 端子耦合 介電屏障 半導(dǎo)體 平行 隔離 直接敷銅基板 電子組件 | ||
金屬島狀區(qū)設(shè)置在第一金屬總線與第二金屬總線之間。第一金屬條帶通過(guò)第一介電屏障與金屬島狀區(qū)隔離。第一金屬條帶的至少平行部分基本上平行于第一金屬總線,第二金屬條帶通過(guò)第二介電屏障與第二金屬總線隔離。每個(gè)第一半導(dǎo)體的端子耦合到第一金屬總線和金屬島狀區(qū)。每個(gè)第二半導(dǎo)體的端子耦合到金屬島狀區(qū)和第二金屬總線。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種具有直接敷銅基板的電子組件。
背景技術(shù)
在一些現(xiàn)有技術(shù)中,直接敷銅(direct copper bonded,DCB)基板是指如下的電路板,其中銅層(例如,銅箔)和氧化鋁層在足夠高的溫度下在工藝中直接結(jié)合或熔合。在某些實(shí)施例中,電子組件包括發(fā)熱部件,例如半導(dǎo)體,電流測(cè)量裝置或兩者,其產(chǎn)生熱負(fù)載,該熱負(fù)載可導(dǎo)致基板和基板上的電路跡線的加熱。由于發(fā)熱部件,可能需要額外的散熱來(lái)維持電子組件的目標(biāo)工作溫度范圍。如果超過(guò)目標(biāo)工作溫度范圍,某些電子部件或介電絕緣體可能會(huì)失效或無(wú)法按照規(guī)范執(zhí)行。因此,需要一種具有直接敷銅基板的電子組件,該直接敷銅基板配置為用于改善熱性能。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,一種電子組件包括:直接敷銅介電基板,直接敷銅介電基板包括介電層。第一金屬總線覆蓋介電層,第一金屬總線具有總線寬度。第二金屬總線覆蓋介電層且基本上與第一金屬總線平行。第一金屬總線和第二金屬總線與直流端子相關(guān)聯(lián)。金屬島狀區(qū)設(shè)置在第一金屬總線與第二金屬總線之間。第一金屬條帶的條帶寬度小于總線寬度。第一金屬條帶通過(guò)第一介電屏障與金屬島狀區(qū)隔離(例如,在如下的位置處,第一金屬條帶的至少平行部分基本上平行于第一金屬總線)。第二金屬條帶的條帶寬度小于總線寬度,第二金屬條帶通過(guò)第二介電屏障與第二金屬總線隔離。每個(gè)第一半導(dǎo)體具有至少一個(gè)一級(jí)端子和二級(jí)端子,至少一個(gè)一級(jí)端子耦合到第一金屬總線且二級(jí)端子耦合到金屬島狀區(qū)。每個(gè)第二半導(dǎo)體具有至少一個(gè)一級(jí)端子和一個(gè)二級(jí)端子,至少一個(gè)一級(jí)端子耦合到金屬島狀區(qū)且二級(jí)端子耦合到第二金屬總線。
附圖說(shuō)明
圖1是電子組件的一個(gè)實(shí)施例的第一透視圖。
圖2是圖1中所示的電子組件的實(shí)施例的第二透視圖。
圖3是圖1中所示的電子組件的實(shí)施例的第三透視圖。
圖4是根據(jù)圖1的電子組件的電流測(cè)量系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施方式
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,圖1示出了電子組件11,其包括介電層12和覆蓋介電層12的第一金屬總線14。第一金屬總線14具有總線寬度16(例如,第一總線寬度)和總線高度或厚度。第二金屬總線18覆蓋在介電層12上并且通常與第一金屬總線14平行,其中第一金屬總線14和第二金屬總線18與直流端子20相關(guān)聯(lián)。例如,直流端子20與正直流輸入和負(fù)直流輸入相關(guān)聯(lián),以為直流總線供電。
在一個(gè)實(shí)施例中,金屬島狀區(qū)22設(shè)置在第一金屬總線14和第二金屬總線18之間。金屬島狀區(qū)22通過(guò)介電層12的中置介電區(qū)域與第一金屬總線14和第二金屬總線電隔離。在一個(gè)示例中,金屬島狀區(qū)22表示輸出總線或者電連接到輸出總線或與輸出總線共用。金屬島狀區(qū)22或輸出總線與相應(yīng)的輸出端子、輸出端子焊盤(pán)或輸出導(dǎo)電焊盤(pán)66相關(guān)聯(lián)。
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