[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于二維Ti3C2材料的神經(jīng)仿生器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811367908.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109524545A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆小兵;王開(kāi)洋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 河北大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;G06N3/06
• 代理公司: 石家莊國(guó)域?qū)＠虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112
• 代理人: 蘇艷肅

1.一種神經(jīng)仿生器件，其特征是，包括Pt/Ti/SiO₂/Si襯底、在Pt/Ti/SiO₂/Si襯底的Pt膜層上形成的神經(jīng)仿生層以及在所述神經(jīng)仿生層上形成的Al電極層，所述神經(jīng)仿生層為二維Ti₃C₂材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的神經(jīng)仿生器件，其特征是，所述神經(jīng)仿生層采用滴涂法制備形成，神經(jīng)仿生層的厚度為100~200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的神經(jīng)仿生器件，其特征是，所述Al電極層采用蒸發(fā)沉積法制備形成，Al電極層由若干均勻分布在神經(jīng)仿生層上的直徑為80~300μm的圓形電極構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的神經(jīng)仿生器件，其特征是，所述圓形電極的厚度為100nm~200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的神經(jīng)仿生器件，其特征是，所述Pt/Ti/SiO₂/Si襯底從下到上依次包括Si層、SiO₂層、Ti 層和Pt膜層。

6.一種神經(jīng)仿生器件的制備方法，其特征是，包括如下步驟：

a 、將Pt/Ti/SiO2/Si襯底依次在丙酮、酒精和去離子水中用超聲波清洗，取出后用N₂吹干；

b 、將Ti₃C₂粉末以5mg/mL的比例溶于去離子水中搖晃均勻,并用超聲波對(duì)Ti₃C₂粉末進(jìn)行超聲解離；

c、取出經(jīng)超聲解離的溶液，用氮?dú)鈱?duì)溶液進(jìn)行沖洗后密封；

d、用膠頭滴管吸取步驟c所得溶液滴涂在Pt/Ti/SiO₂/Si襯底的Pt膜層上并在氮?dú)猸h(huán)境下靜置晾干，從而在Pt/Ti/SiO₂/Si襯底上形成了神經(jīng)仿生層；

e、將形成有神經(jīng)仿生層的Pt/Ti/SiO₂/Si襯底放入蒸發(fā)鍍膜機(jī)中，并在所述神經(jīng)仿生層上放置掩膜板，將蒸發(fā)鍍膜機(jī)的腔體抽真空至3×10^-3Pa，然后將蒸發(fā)鍍膜機(jī)調(diào)至烘烤蒸發(fā)狀態(tài)，調(diào)節(jié)蒸發(fā)轟擊電壓，之后在神經(jīng)仿生層上蒸發(fā)形成Al電極層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的神經(jīng)仿生器件的制備方法，其特征是，步驟d中，所述神經(jīng)仿生層的厚度為100~200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的神經(jīng)仿生器件的制備方法，其特征是，步驟e中，所述掩膜板上均布有直徑為80 ~300μm的圓形孔，所述Al電極層的厚度為100~200nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的神經(jīng)仿生器件的制備方法，其特征是，步驟e中，將蒸發(fā)轟擊電壓緩慢增加至電流表讀數(shù)為50A后進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜。