[發明專利]一種高頻率低損耗數據傳輸線在審
| 申請號： | 201811367095.5 | 申請日： | 2018-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN109545463A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 孔浩;查陽;賈利賓;易濤;于國慶;桂宏兵 | 申請（專利權）人： | 東莞金信諾電子有限公司 |
| 主分類號： | H01B7/22 | 分類號： | H01B7/22;H01B7/18;H01B7/02;H01B7/08 |
| 代理公司： | 東莞眾業知識產權代理事務所(普通合伙) 44371 | 代理人： | 何恒韜 |
| 地址： | 523000 廣東省東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 包覆 第二屏蔽層 第一屏蔽層 數據傳輸線 低損耗 高頻率 內導體 外被層 網絡數據信號 耐高溫性能 高頻信號 有效傳遞 | ||
1.一種高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：包括內導體、第一絕緣層、第二絕緣層、第一屏蔽層、第二屏蔽層及外被層；所述第一絕緣層包覆于內導體之外，所述第二絕緣層包覆于第一絕緣層之外，所述第一屏蔽層包覆于第二絕緣層之外，所述第二屏蔽層包覆于第一屏蔽層之外，所述外被層包覆于第二屏蔽層之外。
2.根據權利要求1所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述內導體的數量為兩根，兩根內導體之外分別單獨包覆有第一絕緣層，所述第二絕緣層同時包覆兩根內導體之外的第一絕緣層；所述內導體為鍍銀銅內導體、鍍錫銅內導體、裸銅內導體、鍍銀銅包鋼內導體、鍍銀銅包鋁內導體中的任意一種，直徑為127-511μm；所述鍍銀銅內導體或鍍錫銅內導體或鍍銀銅包鋼內導體或鍍銀銅包鋁內導體的鍍層厚度為0.3-2.0μm。
3.根據權利要求1所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述第一絕緣層設有空氣絕緣結構，所述空氣絕緣結構為多孔結構或微孔結構，其孔型為圓形或扇形或異形。
4.根據權利要求1所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述第一絕緣層為聚乙烯絕緣層、發泡聚乙烯絕緣層、聚全氟乙丙烯絕緣層、可熔性聚四氟乙烯絕緣層、聚四氟乙烯絕緣層、發泡聚全氟乙丙烯絕緣層中的任意一種，所述第一絕緣層的厚度為100-300μm；所述第二絕緣層繞包覆于第一絕緣層之外，所述第二絕緣層為聚乙烯絕緣層、發泡聚乙烯絕緣層、聚全氟乙丙烯絕緣層、可熔性聚四氟乙烯絕緣層、聚四氟乙烯絕緣層、發泡聚全氟乙丙烯絕緣層、聚丙烯絕緣層中的任意一種，所述第二絕緣層的厚度為50-300μm。
5.根據權利要求1所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述第一屏蔽層縱包覆于第二絕緣層之外，所述第一屏蔽層為熱熔自粘鋁箔、熱熔自粘銅箔、熱熔自粘鍍銀銅箔、鋁箔、銅箔、鍍銀銅箔中的任意一種，所述第一屏蔽層的厚度為10-200μm；所述第二屏蔽層繞包覆于第一屏蔽層之外，所述第二屏蔽層為熱熔自粘鋁箔、熱熔自粘銅箔、熱熔自粘鍍銀銅箔、鋁箔、銅箔、鍍銀銅箔中的任意一種，所述第二屏蔽層的厚度為10-200μm；所述外被層為塑料麥拉帶外被層、聚乙烯外被層、聚四氟乙烯外被層、聚全氟乙丙烯外被層、聚烯烴外被層中的任意一種，所述外被層的厚度為10-600μm。
6.一種高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：包括內導體、第一絕緣層、第二絕緣層、第一屏蔽層、內被層、第二屏蔽層及外被層；所述第一絕緣層包覆于內導體之外，所述第二絕緣層包覆于第一絕緣層之外，所述第一屏蔽層包覆于第二絕緣層之外，所述內被層包覆于第一屏蔽層之外，所述第二屏蔽層包覆于內被層之外，所述外被層包覆于第二屏蔽層之外。
7.根據權利要求6所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述內導體的數量為兩根，兩根內導體之外分別單獨包覆有第一絕緣層，所述第二絕緣層同時包覆兩根內導體之外的第一絕緣層；所述內導體為鍍銀銅內導體、鍍錫銅內導體、裸銅內導體、鍍銀銅包鋼內導體、鍍銀銅包鋁內導體中的任意一種，直徑為127-511μm；所述鍍銀銅內導體或鍍錫銅內導體或鍍銀銅包鋼內導體或鍍銀銅包鋁內導體的鍍層厚度為0.3-2.0μm。
8.根據權利要求6所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述第一絕緣層設有空氣絕緣結構，所述空氣絕緣結構為多孔結構或微孔結構，其孔型為圓形或扇形或異形。
9.根據權利要求6所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述第一絕緣層為聚乙烯絕緣層、發泡聚乙烯絕緣層、聚全氟乙丙烯絕緣層、可熔性聚四氟乙烯絕緣層、聚四氟乙烯絕緣層、發泡聚全氟乙丙烯絕緣層中的任意一種，所述第一絕緣層的厚度為100-300μm；所述第二絕緣層繞包覆于第一絕緣層之外，所述第二絕緣層為聚乙烯絕緣層、發泡聚乙烯絕緣層、聚全氟乙丙烯絕緣層、可熔性聚四氟乙烯絕緣層、聚四氟乙烯絕緣層、發泡聚全氟乙丙烯絕緣層、聚丙烯絕緣層中的任意一種，所述第二絕緣層的厚度為50-300μm。
10.根據權利要求6所述的高頻率低損耗數據傳輸線，其特征在于：所述第一屏蔽層縱包覆于第二絕緣層之外，所述第一屏蔽層為熱熔自粘鋁箔、熱熔自粘銅箔、熱熔自粘鍍銀銅箔、鋁箔、銅箔、鍍銀銅箔中的任意一種，所述第一屏蔽層的厚度為10-200μm；所述內被層為塑料麥拉帶外被層、聚乙烯外被層、聚四氟乙烯外被層、聚全氟乙丙烯外被層、聚烯烴外被層中的任意一種，所述內被層的厚度為10-600μm；所述第二屏蔽層繞包覆于內被層之外，所述第二屏蔽層為熱熔自粘鋁箔、熱熔自粘銅箔、熱熔自粘鍍銀銅箔、鋁箔、銅箔、鍍銀銅箔中的任意一種，所述第二屏蔽層的厚度為10-200μm；所述外被層為塑料麥拉帶外被層、聚乙烯外被層、聚四氟乙烯外被層、聚全氟乙丙烯外被層、聚烯烴外被層中的任意一種，所述外被層的厚度為10-600μm。
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