[發明專利]一種對Cu3

有效

• 申請號: 201811365386.0
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN109536912B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 杜允;俞優姝
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學信息工程學院
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱月芬

1.一種對Cu₃N薄膜進行定量摻雜的方法，其特征在于包括如下步驟：

步驟1.將襯底放置在樣品臺上；

步驟2.調整靶間距，放好擋板，關腔門；

步驟3.抽真空，當真空腔內本底氣壓達到于10^－6mbar量級時，打開流量計電源開關，打開射頻電源開關；

步驟4.打開氮氣通氣閥，調整氮氣的流量至工作流量；

步驟5.調整功率至工作功率，加載功率；

步驟6.觀察真空腔，觀察氮氣是否起輝；

步驟7.如果步驟6起輝,進行預濺射，然后進行薄膜沉積；

步驟8.如果步驟6不起輝，增加功率，觀察是否起輝；

步驟9.如果步驟8起輝，降低功率至工作功率，進行步驟7；

步驟10.如果步驟8不起輝，卸載功率，增加氮氣流量，重新加載功率，觀察是否起輝；

步驟11.如果步驟10起輝，降低氮氣流量至工作流量，降低功率至工作功率，進行步驟7；

步驟12.如果步驟10不起輝，卸載功率；降低氮氣流量至工作流量，關閉氮氣通氣閥，憋氣2-3min，調整功率至工作功率，加載功率，打開氮氣通氣閥，觀察是否起輝；

步驟13.如果步驟12起輝,進行步驟7；

步驟14.如果步驟12不起輝,卸載功率，關閉氮氣通氣閥，憋氣2-3min，增大功率，加載功率，打開氮氣通氣閥，觀察是否起輝；

步驟15.如果步驟14起輝,進行步驟7；

步驟16.如果步驟14不起輝,打開擋板，改變真空腔內環境,觀察是否起輝，起輝后,降低功率至工作功率，加上擋板，旋轉樣品臺至下一個位置，進行預濺射和薄膜沉積。

2.根據權利要求1所述的一種對Cu₃N薄膜進行定量摻雜的方法，其特征在于該方法使用的裝置，包括真空腔、樣品臺、加熱絲、襯底、靶、冷卻水系統、匹配箱、射頻源、冷陰極規、分子泵、機械泵、氣瓶、流量控制器、粗真空規、通氣閥；

真空腔內設置有樣品臺、加熱絲、襯底、靶，樣品臺設置在真空腔內底部，樣品臺上表面設置有加熱絲，加熱絲上設置有襯底；靶設置在真空腔內頂部；靶上方設置有磁鐵，磁鐵上方設置有冷卻水系統，冷卻水系統用于冷卻磁鐵；匹配箱的一端與冷卻水系統相連接，另一端與射頻源相連接；氣瓶通過氣管與真空腔相連接，氣管上設置有流量控制器、粗真空規和通氣閥，流量控制器用于控制氣體流量，粗真空規用于測量憋氣時氣管的氣壓，通氣閥用于調節氣體向真空腔的流入以及工作氣壓；機械泵與分子泵的一端相連接，分子泵的另一端通過法蘭與真空腔相連接；真空腔的外壁上設置有冷陰極規。