[發明專利]一種光刻膠及光刻膠圖案的制作方法

在審

• 申請號: 201811351459.0
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN109270791A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 劉明;左岳平;孟秋華;王純陽;方飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種光刻膠及光刻膠圖案的制作方法，涉及光刻膠技術領域，能夠解決相關技術中由于光刻膠頂部與底部接受光照量不同而造成的光刻膠坡度角較小，進而造成Mask CD與FICD之間存在較大誤差的問題。所述光刻膠包括多個感光單元，每個感光單元均具有磁性。本發明用于光刻膠圖案的制作。

技術領域

本發明涉及光刻膠技術領域，尤其涉及一種光刻膠及光刻膠圖案的制作方法。

背景技術

光刻膠(Photo Resist，PR)也稱光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變，光刻膠主要用來將光刻掩膜板上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經過曝光后，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影后，留下光照部分形成圖形。

現有技術中光刻膠在進行曝光時，由于光照設備一般位于光刻膠頂部上方，光照是從光刻膠的頂部向下照射，這樣導致光刻膠頂部的感光劑受到的光照量較多，而光刻膠底部的感光劑受到的光照量較少，這樣在進行顯影后，光刻膠的坡度角會較小，進而會造成Mask CD(Critical Dimension，關鍵尺寸)與FICD(最后檢查關鍵尺寸)之間存在較大誤差，不利于關鍵尺寸的控制。

發明內容

本發明的實施例提供一種光刻膠及光刻膠圖案的制作方法，能夠解決相關技術中由于光刻膠頂部與底部接受光照量不同而造成的光刻膠坡度角較小，進而造成Mask CD與FICD之間存在較大誤差的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，本發明實施例提供一種光刻膠，包括：多個感光單元，每個所述感光單元均具有磁性。

可選的，所述感光單元通過感光材料與磁性離子發生化學反應形成。

可選的，所述感光單元通過感光材料包裹磁性材料形成。

可選的，所述磁性材料為磁性納米顆粒。

可選的，所述磁性納米顆粒為納米微球或量子點微球。

可選的，所述磁性離子為鐵離子或鎳離子。

另一方面，本發明實施例提供一種光刻膠圖案的制作方法，所述制作方法包括：在基底上涂覆如上述任意一種所述的光刻膠；向所述光刻膠添加磁場，以使所述光刻膠底部的感光單元的含量大于所述光刻膠頂部的感光單元的含量；對所述光刻膠進行曝光和顯影，以形成所述光刻膠圖案。

可選的，所述向所述光刻膠添加磁場具體為：在形成有所述光刻膠的基底的下方或上方設置磁力件，利用所述磁力件控制所述光刻膠中的感光單元的分布。

可選的，所述磁力件為磁鐵。

可選的，在基底上涂覆所述光刻膠后，所述制作方法還包括：對所述光刻膠進行前烘處理；所述向所述光刻膠添加磁場具體為：在對所述光刻膠進行前烘處理之前向所述光刻膠添加磁場，或在對所述光刻膠進行前烘處理的過程中向所述光刻膠添加磁場。

本發明實施例提供的光刻膠及光刻膠圖案的制作方法，所述光刻膠包括多個感光單元，每個感光單元均具有磁性。相較于現有技術，本發明實施例提供的光刻膠通過設置其內部的感光單元具有磁性，這樣可以通過外加磁場來控制光刻膠內感光單元的分布，使得光刻膠中底部感光單元的含量大于頂部，這樣在曝光過程中，底部感光單元的增多使其在相對較低的光強下可以實現較大的曝光范圍，從而能夠增大顯影后的光刻膠的坡度角，減小Mask CD與FICD的誤差，利于工藝中關鍵尺寸的控制。

附圖說明