[發(fā)明專利]晶片結(jié)構(gòu)及其修整方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811346956.1
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109786212B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江浩寧;莊銘德
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/544
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種修整方法，其特征在于，包括：

提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；

在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一預(yù)修整標(biāo)記，其中形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記包括形成多個凹槽，所述多個凹槽被排列成沿著所述第一晶片的周邊的路徑；以及

在所述第一預(yù)修整標(biāo)記上且沿著所述第一預(yù)修整標(biāo)記的所述路徑修整所述第一晶片，以移除所述第一晶片的一部分并形成經(jīng)修整邊緣，所述經(jīng)修整邊緣上具有多個第一區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修整方法，其特征在于，在所述第一晶片的所述第一表面上形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記包括：對所述第一晶片的所述第一表面執(zhí)行刻蝕工藝以形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記且所述第一區(qū)包括多個刻蝕條紋。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修整方法，其特征在于，在所述第一晶片的所述第一表面上形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記包括：對所述第一晶片的所述第一表面執(zhí)行激光標(biāo)記工藝以形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記且所述第一區(qū)包括多個激光標(biāo)記條紋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修整方法，其特征在于，修整所述第一晶片包括：切入所述第一晶片中并切穿所述第一預(yù)修整標(biāo)記到達(dá)修整深度且所述修整深度大于所述凹槽中的每一個凹槽的深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修整方法，其特征在于，所述經(jīng)修整邊緣還包括環(huán)繞所述第一區(qū)的第二區(qū)且所述第二區(qū)具有與所述第一區(qū)的紋理特征不同的紋理特征。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修整方法，其特征在于，還包括：

在修整所述第一晶片之后，提供結(jié)合到所述第一晶片的所述第一表面的第二晶片，并對所述第一晶片的所述第二表面執(zhí)行晶片薄化工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的修整方法，其特征在于，還包括：

在執(zhí)行所述晶片薄化工藝之后，在所述第一晶片的所述第二表面上形成第二預(yù)修整標(biāo)記。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的修整方法，其特征在于，還包括：

在所述第一晶片的所述第二表面上形成所述第二預(yù)修整標(biāo)記之后，在所述第二預(yù)修整標(biāo)記上修整所述第一晶片及所述第二晶片。

9.一種修整方法，其特征在于，包括：

提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；

從所述第一晶片的所述第一表面沿著厚度方向?qū)λ龅谝痪瑘?zhí)行第一標(biāo)記修整步驟，以移除圍繞所述第一晶片的周邊的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，對所述第一晶片執(zhí)行所述第一標(biāo)記修整步驟包括：在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一預(yù)修整標(biāo)記，其中所述第一預(yù)修整標(biāo)記是通過形成多個凹槽來形成，所述凹槽彼此間隔開且分布在沿著所述第一晶片的所述周邊的圓形路徑中；

通過提供第二晶片并將所述第二晶片堆疊到所述第一晶片的所述第一表面來形成堆疊的晶片結(jié)構(gòu)；以及

從所述第一晶片的所述第二表面沿著所述厚度方向?qū)λ龆询B的晶片結(jié)構(gòu)執(zhí)行第二標(biāo)記修整步驟，以移除所述堆疊的晶片結(jié)構(gòu)的邊緣部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的修整方法，其特征在于，形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記包括：對所述第一晶片的所述第一表面執(zhí)行刻蝕工藝，以形成多個凹槽。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的修整方法，其特征在于，形成所述第一預(yù)修整標(biāo)記包括：對所述第一晶片的所述第一表面執(zhí)行激光標(biāo)記工藝，以形成多個凹槽。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的修整方法，其特征在于，對所述第一晶片執(zhí)行所述第一標(biāo)記修整步驟還包括：

通過在所述第一預(yù)修整標(biāo)記上進(jìn)行切割并沿著所述第一預(yù)修整標(biāo)記的所述圓形路徑切入所述第一晶片中以移除所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)來修整所述第一晶片。