[發明專利]用于校正基板變形的方法和設備有效
| 申請號: | 201811346700.0 | 申請日: | 2018-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN109786287B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | E·S·白;S·斯如納烏卡拉蘇;J-L·蘇;S·瓦亞布朗;K·埃盧馬萊;D·拉賈帕克薩;A·M·塔蒂 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 搜索關鍵詞: | 用于 校正 變形 方法 設備 | ||
本文提供用于校正基板變形的方法和設備的實施方式。在一些實施方式中,一種基板支撐件包括:基部,具有由從所述基部向上延伸的壁形成的內部容積;多個紅外燈,設置在所述內部容積內;支撐板,設置在所述多個紅外燈上方,其中所述支撐板包括支撐表面以支撐基板;和覆蓋板,設置在所述支撐板的頂上并具有對應于所述支撐表面的中心開口和位于所述覆蓋板的頂表面的周邊的排氣部分,其中所述排氣部分包括多個穿孔,所述多個穿孔將所述覆蓋板上方的空間與形成在所述覆蓋板中的排氣導管流體地耦接。在本文中另外提供一種結合本發明的基板支撐件和噴頭組件的噴頭組件和處理設備的實施方式。
技術領域
本公開的實施方式總體涉及校正基板變形。
背景技術
環氧樹脂模塑化合物用于將管芯封裝在基板封裝中。這些化合物在熱工藝之后因不均勻的加熱和冷卻而弓起和翹曲,從而導致當前工藝設備中不均勻的膨脹/收縮速率。常規的熱工藝利用經由輻射、對流或傳導熱工藝的定向傳熱。方向性造成各向異性的膨脹和收縮速率。當接近熱塑性狀態操作時,不均勻的冷卻以及后續的收縮速率產生翹曲基板。經常地觀察到這種翹曲和弓起效應,并且其暗示了基板在接近基板的熱塑性狀態下被加工,從而導致翹曲超過可接受的水平。
因此,發明人提供用于校正基板變形的方法和設備的實施方式。
發明內容
本文提供用于校正基板變形的方法和設備。在一些實施方式中,一種基板支撐件包括:基部,具有由從所述基部向上延伸的壁形成的內部容積,其中所述壁設置在所述基部的周邊內;多個紅外燈,設置在所述內部容積內;支撐板,設置在所述多個紅外燈上方,其中所述支撐板包括支撐表面以支撐基板;和覆蓋板,設置在所述支撐板的頂上并具有對應于所述支撐表面的中心開口和位于所述覆蓋板的頂表面的周邊的排氣部分,其中所述排氣部分包括多個穿孔,所述多個穿孔將所述覆蓋板上方的空間與形成在所述覆蓋板上中的排氣導管流體地耦接。
在一些實施方式中,一種噴頭組件包括:上部板,具有氣體入口和由從所述上部板向下延伸的壁形成的內部容積,其中所述壁設置在所述上部板的周邊內;多個紅外燈,設置在所述內部容積內;保持板,設置在所述多個紅外燈的下方以將所述多個紅外燈支撐在所述內部容積內;阻擋板,具有多個孔隙并設置在所述保持板的下方,其中所述阻擋板包括凹陷部段,所述凹陷部段與所述保持板一起形成氣室,并且其中所述多個孔隙設置在所述凹陷部段中;氣體導管,從所述氣體入口延伸并穿過所述保持板以將氣體供應到所述氣室;和覆蓋板,設置在所述阻擋板的下方并具有對應于所述凹陷部段的中心開口,其中所述覆蓋板耦接到所述上部板的所述壁的頂部以將所述保持板和所述阻擋板耦接到所述上部板。
在一些實施方式中,一種處理腔室包括:腔室主體,具有處理容積;基板支撐件,設置在所述處理容積的下部部分中;和噴頭組件,與所述基板支撐件相對地設置在所述處理容積的上部部分中。所述基板支撐件包括:基部,具有由從所述基部向上延伸的第一壁形成的第一內部容積,其中所述第一壁設置在所述基部的周邊內;第一多個紅外燈,設置在所述第一內部容積內;支撐板,設置在所述第一多個紅外燈上方,其中所述支撐板包括支撐表面以支撐基板;和第一覆蓋板,設置在所述支撐板的頂上并具有對應于所述支撐表面的第一中心開口和位于所述第一覆蓋板的頂表面的周邊的排氣部分,其中所述排氣部分包括多個穿孔,所述多個穿孔將所述處理容積與形成在所述第一覆蓋板中的排氣導管流體地耦接。所述噴頭組件包括:上部板,具有氣體入口和由從所述上部板向下延伸的第二壁形成的第二內部容積,其中所述第二壁設置在所述上部板的周邊內;第二多個紅外燈,設置在所述第二內部容積內;保持板,設置在所述第二多個紅外燈的下方以將所述第二多個紅外燈支撐在所述第二內部容積內;阻擋板,具有多個孔隙并設置在所述保持板的下方,其中所述阻擋板包括凹陷部段,所述凹陷部段與所述保持板一起形成氣室,并且其中所述多個孔隙設置在所述凹陷部段中;氣體導管,從所述氣體入口延伸并穿過所述保持板以將氣體供應到所述氣室;和第二覆蓋板,設置在所述阻擋板的下方并具有對應于所述凹陷部段的第二中心開口,其中所述第二覆蓋板耦接到所述上部板的所述第二壁的頂部以將所述保持板和所述阻擋板耦接到所述上部板。
以下描述本公開的其它和進一步實施方式。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





