[發(fā)明專利]用于校正基板變形的方法和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811346700.0 | 申請日: | 2018-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN109786287B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | E·S·白;S·斯如納烏卡拉蘇;J-L·蘇;S·瓦亞布朗;K·埃盧馬萊;D·拉賈帕克薩;A·M·塔蒂 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 校正 變形 方法 設(shè)備 | ||
1.一種基板支撐件,包括:
基部,具有由從所述基部向上延伸的壁形成的內(nèi)部容積,其中所述壁設(shè)置在所述基部的周邊內(nèi);
多個紅外燈,設(shè)置在所述內(nèi)部容積內(nèi);
支撐板,設(shè)置在所述多個紅外燈上方,其中所述支撐板包括支撐表面以支撐基板;和
覆蓋板,設(shè)置在所述支撐板的頂上并具有對應(yīng)于所述支撐表面的中心開口和位于所述覆蓋板的頂表面的周邊的排氣部分,其中所述排氣部分包括多個穿孔,所述多個穿孔將所述覆蓋板上方的空間與形成在所述覆蓋板中的排氣導(dǎo)管流體地耦接。
2.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件,其中所述支撐板包括:
通孔,設(shè)置在所述支撐板的中心附近;和
多個通道,從所述通孔向外延伸,其中所述通孔和所述多個通道被配置為在所述基板的底表面上方分布真空吸緊力。
3.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件,其中所述多個紅外燈包括在1與4個之間的加熱區(qū)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板支撐件,其中所述基部包括形成在所述基部中的冷卻劑通道。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板支撐件,其中所述支撐板由石英形成。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板支撐件,其中所述覆蓋板由鋁或不銹鋼形成。
7.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板支撐件,進一步包括:
升降桿組件,具有多個升降桿,
其中所述基部包括對應(yīng)于所述多個升降桿的第一多個孔洞,其中所述支撐板包括對應(yīng)于第一多個孔洞且與所述第一多個孔洞對準的第二多個孔洞,使得所述多個升降桿在所述升降桿組件處于升高位置時延伸穿過所述第一多個孔洞和所述第二多個孔洞。
8.一種噴頭組件,包括:
上部板,具有氣體入口和由從所述上部板向下延伸的壁形成的內(nèi)部容積,其中所述壁設(shè)置在所述上部板的周邊內(nèi);
多個紅外燈,設(shè)置在所述內(nèi)部容積內(nèi);
保持板,設(shè)置在所述多個紅外燈的下方以將所述多個紅外燈支撐在所述內(nèi)部容積內(nèi);
阻擋板,具有多個孔隙并設(shè)置在所述保持板的下方,其中所述阻擋板包括凹陷部段,所述凹陷部段與所述保持板一起形成氣室,并且其中所述多個孔隙設(shè)置在所述凹陷部段中;
氣體導(dǎo)管,從所述氣體入口延伸并穿過所述保持板以將氣體供應(yīng)到所述氣室;和
覆蓋板,設(shè)置在所述阻擋板的下方并具有對應(yīng)于所述凹陷部段的中心開口,其中所述覆蓋板耦接到所述上部板的所述壁的頂部以將所述保持板和所述阻擋板耦接到所述上部板。
9.如權(quán)利要求8所述的噴頭組件,進一步包括:
供氣管線,耦接到所述氣體入口,其中所述供氣管線包括加熱器,所述加熱器被配置為加熱傳遞通過所述供氣管線的氣體。
10.如權(quán)利要求8所述的噴頭組件,其中所述多個紅外燈包括在1與4個之間的加熱區(qū)。
11.如權(quán)利要求8至10中任一項所述的噴頭組件,其中所述上部板包括形成在所述上部板中的冷卻劑通道。
12.如權(quán)利要求8至10中任一項所述的噴頭組件,其中所述阻擋板由石英形成。
13.如權(quán)利要求8至10中任一項所述的噴頭組件,其中所述覆蓋板由鋁或不銹鋼形成。
14.一種工藝腔室,包括:
腔室主體,具有處理容積;
基板支撐件,設(shè)置在所述處理容積的下部部分中,所述基板支撐件如權(quán)利要求1至3中任一項所述;和
噴頭組件,與所述基板支撐件相對地設(shè)置在所述處理容積的上部部分中,所述噴頭組件如權(quán)利要求8至10中的任一項所述。
15.如權(quán)利要求14所述的工藝腔室,進一步包括:
第一電源,電耦接到設(shè)置在所述基板支撐件的第一內(nèi)部容積內(nèi)的第一多個紅外燈;
第一溫度控制器,耦接到所述第一電源以控制所述第一電源;
第二電源,電耦接到設(shè)置在所述噴頭組件的第二內(nèi)部容積內(nèi)的第二多個紅外燈;和
第二溫度控制器,耦接到所述第二電源以控制所述第二電源。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于應(yīng)用材料公司,未經(jīng)應(yīng)用材料公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811346700.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





