[發明專利]光刻曝光系統

在審

• 申請號: 201811346136.2
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109814340A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 陳鑫封;張漢龍;陳立銳;劉柏村
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開提供一種在光刻曝光系統中產生輻射光的方法。方法包括連接耦接至支撐件的第一噴嘴總成與存儲構件的出口，存儲構件在其內部接收目標燃料。方法還包括引導目標燃料流過第一噴嘴總成，且經由第一噴嘴總成供應目標燃料的液滴至激發區內。方法亦包括移動支撐件以連接耦接至支撐件的第二噴嘴總成與出口。除此之外，方法包括引導目標燃料流過第二噴嘴總成，且經由第二噴嘴總成供應目標燃料的液滴至激發區內。方法還包括以激光脈沖照射在激發區中的目標燃料的液滴。

技術領域

本公開涉及一種光刻曝光系統，特別涉及一種在光刻曝光系統中產生輻射光的方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit,IC)產業經歷指數性成長，集成電路材料以及設計的技術的進步已產生了數個世代的集成電路，每一世代的集成電路都具有比上一世代更小以及更復雜的電路。在集成電路演變過程中，功能密度(亦即單位芯片面積的互聯裝置的數量)通常隨著幾何尺寸(亦即使用制造制程可以產生的最小元件(或線))下降而增加。這種尺寸微縮化的制程通常由提高生產效率以及降低相關成本提供益處，這樣的尺寸微縮化亦增加制程以及制造集成電路的復雜性。

舉例而言，執行高分辨率光刻制程(high-resolution lithography process)有成長的需求。一種光刻技術是極紫外光光刻(extreme ultraviolet lithography,EUVL)。極紫外光光刻采用使用在極紫外光(EUV)區域中的光(具有約1-100nm的波長)的掃描器。一種極紫外光光源的類型是激光生成等離子體(laser-produced plasma,LPP)，激光生成等離子體技術將一高能量的激光光束聚焦在小型燃料液滴目標(fuel droplet targets)上，以形成高度離子化的等離子體，高度離子化的等離子體放射的極紫外光輻射具有最大放射波峰在13.5nm。然后，極紫外光通過收集器收集，且由光學器件朝向光刻曝光物體(例如：晶圓)反射。

雖然用于產生極紫外光的現有方法以及裝置已經足夠用于預期目的，但現有方法以及裝置尚未在所有方面完全令人滿意。因此，希望提供提高從用于離子化的能量輸入端的功率轉換效率的解決方案。

發明內容

根據本公開的一些實施例，提供一種光刻曝光系統。光刻曝光系統包括選擇機構。光刻曝光系統還包括耦接至選擇機構的數個噴嘴總成(assemblies)，且每一個噴嘴總成配置以噴出目標燃料的液滴。光刻曝光系統亦包括存儲構件，配置以存儲目標燃料且存儲構件具有出口。選擇機構是配置以選擇性地且流體地連接出口與噴嘴總成中之一者，以使目標燃料從存儲構件經由出口被供應至連接出口的噴嘴總成中之一者，除此之外，光刻曝光系統包括激光產生器，配置以產生激光脈沖以擊中液滴。

根據本公開的一些實施例，提供一種光刻曝光系統。光刻曝光系統包括目標燃料產生器，目標燃料產生器包括存儲構件、支撐件、第一噴嘴總成、以及第二噴嘴總成。存儲構件是配置以存儲目標燃料且具有出口，出口用于允許目標燃料流出存儲構件。支撐件是可旋轉地連接至存儲構件。第一噴嘴總成以及第二噴嘴總成耦接至支撐件。第一噴嘴總成以及第二噴嘴總成中的每一者是配置以放出目標燃料的液滴。光刻曝光系統還包括激光產生器，配置以產生激光脈沖，以擊中由目標燃料產生器供應的目標燃料。當支撐件是在相對于存儲構件的第一旋轉角度時，第一噴嘴總成是流體地連接至出口，以供應目標燃料的液滴，且第二噴嘴總成從出口脫離；而當支撐件在相對于存儲構件的第二旋轉角度時，第二噴嘴總成是流體地連接至出口，以供應目標燃料的液滴，且第一噴嘴總成從出口脫離。

根據本公開的一些實施例，提供一種在光刻曝光系統中產生輻射光的方法。方法包括連接耦接至支撐件的第一噴嘴總成與存儲構件的出口，存儲構件在其內部接收目標燃料。方法還包括引導目標燃料流過第一噴嘴總成，且經由第一噴嘴總成供應目標燃料的液滴至激發區內。方法亦包括移動支撐件以連接耦接至支撐件的第二噴嘴總成與出口。除此之外，方法包括引導目標燃料流過第二噴嘴總成，且經由第二噴嘴總成供應目標燃料的液滴至激發區內。方法還包括以激光脈沖照射在激發區中的目標燃料的液滴。