[發(fā)明專利]存儲器裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811328293.0
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN110957327B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉騰豪;呂函庭
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11551
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置，包括：

導電條帶疊層，通過數(shù)條絕緣條帶隔離，該導電條帶疊層中的數(shù)條導電條帶在一第一方向上延伸，其中，該導電條帶疊層包括第一導電條帶疊層；

多個半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)，延伸通過該導電條帶疊層中的所述導電條帶，各該半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)具有一分割的橢圓形截面，該分割的橢圓形截面具有相對于該第一方向呈現(xiàn)傾斜的一主軸；及

數(shù)個數(shù)據(jù)儲存結(jié)構(gòu)，位于所述導電條帶的側(cè)壁上；及

所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)包括數(shù)個半導體薄膜，所述半導體薄膜具有數(shù)個外表面，所述外表面與所述導電條帶的所述側(cè)壁上的所述數(shù)據(jù)儲存結(jié)構(gòu)接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中該主軸相對于該第一方向傾斜一角度，該角度的范圍在30度和80度之間，且該導電條帶疊層中的所述導電條帶用作三柵極來與所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，包括：

一第二導電條帶疊層，該第二導電條帶疊層中的數(shù)條導電條帶在該第一方向上延伸；及

一隔離區(qū)塊，隔離該第一導電條帶疊層及該第二導電條帶疊層，該第一導電條帶疊層中的第一半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)接觸該隔離區(qū)塊的一第一側(cè)，該第二導電條帶疊層中的第二半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)接觸相對于該隔離區(qū)塊的該第一側(cè)的該隔離區(qū)塊的一第二側(cè)，

其中所述第一半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)沿著該主軸而橫越過該隔離區(qū)塊來相對配置于所述第二半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中該導電條帶疊層包括所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)，所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)位于該導電條帶疊層的一第一側(cè)上并位于相對于該第一側(cè)的該導電條帶疊層的一第二側(cè)上，該存儲器裝置還包括：

一條共同源極線，配置在該導電條帶疊層上，該共同源極線連接至位于該導電條帶疊層的該第一側(cè)與該第二側(cè)上的所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，包括：

多個導電條帶疊層，包括該第一導電條帶疊層，該多個導電條帶疊層中的一第一奇數(shù)疊層配置于在該多個導電條帶疊層中的一偶數(shù)疊層的一第一側(cè)上，該多個導電條帶疊層中的一第二奇數(shù)疊層配置于相對于該第一側(cè)的該偶數(shù)疊層的一第二側(cè)上；

一第一組位線，連接至鄰近該偶數(shù)疊層的該第一側(cè)的該第一奇數(shù)疊層的一第二側(cè)上的所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)；及

一第二組位線，連接至在鄰近該偶數(shù)疊層的該第二側(cè)的該第二奇數(shù)疊層的一第一側(cè)上的所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)，該第一組位線中的位線在該第一方向上是與該第二組位線中的位線交替。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，包括：

多個導電條帶疊層，通過數(shù)條絕緣條帶隔離，該多個導電條帶疊層包括第一導電條帶疊層；及

多個隔離區(qū)塊，隔離該多個導電條帶疊層中的鄰近疊層，該多個隔離區(qū)塊包括一第一隔離區(qū)塊、一最終隔離區(qū)塊及數(shù)個中間隔離區(qū)塊，所述中間隔離區(qū)塊在正交于該第一方向的一第二方向上配置在該第一隔離區(qū)塊及該最終隔離區(qū)塊之間，

其中該第一隔離區(qū)塊及該最終隔離區(qū)塊具有一第一寬度，所述中間隔離區(qū)塊具有一第二寬度，該第一寬度大于該第二寬度。

7.一種存儲器裝置的制造方法，包括：

形成多個導電層，通過數(shù)個絕緣層隔離；

于該多個導電層中刻蝕多列的數(shù)個橢圓形開口，所述列的所述橢圓形開口在一第一方向上排列，所述列中的所述橢圓形開口的每一者具有相對于該第一方向呈現(xiàn)傾斜的一主軸；

沉積數(shù)個數(shù)據(jù)儲存結(jié)構(gòu)及數(shù)個半導體薄膜于所述列中的所述橢圓形開口的側(cè)壁及底表面上；及

在該第一方向上橫越過各所述列的所述橢圓形開口中的所述橢圓形開口，來刻蝕通過所述導電層的多個縫隙，藉以形成多個導電條帶疊層及多個半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)，所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)延伸通過所述導電條帶疊層中的數(shù)條導電條帶，所述半圓柱形垂直通道結(jié)構(gòu)的每一者具有一分割的橢圓形截面，該分割的橢圓形截面具有相對于該第一方向呈現(xiàn)傾斜的一主軸。