[發明專利]調節器用半導體集成電路在審
| 申請號： | 201811325443.2 | 申請日： | 2018-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN109768040A | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發明（設計）人： | 牧慎一朗;高野陽一;橫山勝浩 | 申請（專利權）人： | 三美電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 范勝杰;金慧善 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體集成電路 島狀半導體區域 電流限制 泄放電阻 半導體基板 分離區域 體二極管 狀態設置 擴散層 寄生 電位差 包圍 方式設定 輸出端子 通常動作 正向電壓 恒電位 電阻 串聯 | ||
1.一種調節器用半導體集成電路，具備：輸出控制用晶體管，其由連接在輸入直流電壓的電壓輸入端子與輸出端子之間的雙極晶體管構成；控制電路，其根據輸出的反饋電壓來控制上述輸出控制用晶體管；以及泄放電阻，其連接在輸出端子與恒電位點之間，并將輸出電壓進行分壓來生成上述反饋電壓，其特征在于，
上述泄放電阻由形成于第一島狀半導體區域的表面的擴散層構成，該第一島狀半導體區域以通過分離區域包圍了周圍的狀態設置于半導體基板上，
在上述輸出端子與恒電位點之間以與上述泄放電阻串聯的方式連接有電流限制用電阻，
上述電流限制用電阻由形成于第二島狀半導體區域的表面的擴散層構成，該第二島狀半導體區域是與通過分離區域包圍了周圍的上述第一島狀半導體區域不同的區域，并且
上述電流限制用電阻以通常動作時的電流流過而在兩端產生的電位差不超過寄生于該電流限制用電阻的體二極管的正向電壓的方式設定電阻值。
2.一種調節器用半導體集成電路，具備：輸出控制用晶體管，其由連接在輸入直流電壓的電壓輸入端子與輸出端子之間的雙極晶體管構成；控制電路，其根據輸出的反饋電壓來控制上述輸出控制用晶體管；以及泄放電阻，其連接在輸出端子與恒電位點之間，并將輸出電壓進行分壓來生成上述反饋電壓，其特征在于，
上述泄放電阻由形成于第一島狀半導體區域的表面的擴散層構成，該第一島狀半導體區域以通過分離區域包圍了周圍的狀態設置于半導體基板上，
電流限制用電阻由形成于與通過分離區域包圍了周圍的上述第一島狀半導體區域不同的第二島狀半導體區域的表面的擴散層構成，并且連接在形成有上述泄放電阻的上述第一島狀半導體區域的島電極與上述輸出端子之間。
3.根據權利要求1或2所述的調節器用半導體集成電路，其特征在于，
上述控制電路具備：縱型雙極晶體管，其將形成于上述半導體基板的內部的第一導電型埋層設為集電極區域，將形成于由上述埋層上方的外延層構成的島狀半導體區域的表面的第二導電型擴散層設為基極區域，將形成于該基極區域的內側的第一導電型擴散層設為發射極區域，
上述泄放電阻和上述電流限制用電阻由形成于彼此電絕緣的外延層的島狀半導體區域的表面的第二導電型擴散層構成，
上述輸出控制用晶體管由橫型雙極晶體管或具有第二導電型的埋層的縱型雙極晶體管構成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
