[發(fā)明專利]垂直半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811324447.9
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109768048A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋旼瑩;姜昌錫
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜

提供了一種垂直半導(dǎo)體器件，其可包括第一和第二柵極圖案、第一和第二溝道孔及第一和第二半導(dǎo)體圖案。第一柵極圖案可在包括第一和第二區(qū)域的襯底上沿第一方向延伸。第一柵極圖案的在第二區(qū)域上的部分可包括第一開口。第二柵極圖案可在第一柵極圖案上垂直堆疊且彼此隔開，每個第二柵極圖案可沿第一方向延伸。第一溝道孔可延伸穿過第二和第一柵極圖案并在襯底的第一區(qū)域上暴露襯底的第一部分。第一半導(dǎo)體圖案可位于第一溝道孔的下部處。第二溝道孔可延伸穿過第二柵極圖案并在襯底的第二區(qū)域上暴露襯底的第二部分，第二溝道孔在俯視圖中可設(shè)置在第一開口的區(qū)域內(nèi)，第一開口的面積比第二溝道孔的面積大。第二半導(dǎo)體圖案可位于第二溝道孔的下部處。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2017年11月10日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2017-0149880的優(yōu)先權(quán)，上述韓國專利申請的內(nèi)容通過引用整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及制造垂直半導(dǎo)體器件的方法。更具體地，本公開涉及制造垂直NAND閃存器件的方法。

背景技術(shù)

近來，已經(jīng)開發(fā)出具有垂直堆疊的多個存儲單元的垂直半導(dǎo)體器件。由于存儲單元分別以多個層垂直堆疊，因此每個層的每個存儲單元可能不具有良好的電特性。

發(fā)明內(nèi)容

示例實施例提供了具有改進(jìn)的特性的垂直半導(dǎo)體器件。

根據(jù)一個實施例，一種垂直半導(dǎo)體器件包括第一柵極圖案、第二柵極圖案、第一溝道孔、第一半導(dǎo)體圖案、第二溝道孔和第二半導(dǎo)體圖案。所述第一柵極圖案可以在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底上沿第一方向延伸。所述第一方向可以平行于所述襯底的上表面，并且所述第一柵極圖案的在所述第二區(qū)域上的部分可以包括第一開口。所述第二柵極圖案可以在所述第一柵極圖案上垂直堆疊并且所述第二柵極圖案彼此間隔開，并且每個所述第二柵極圖案可以沿所述第一方向延伸。所述第一溝道孔可以延伸穿過所述第二柵極圖案和所述第一柵極圖案，并且在所述襯底的所述第一區(qū)域上暴露所述襯底的第一部分。所述第一半導(dǎo)體圖案可以位于所述第一溝道孔的下部處。所述第二溝道孔可以延伸穿過所述第二柵極圖案并且在所述襯底的所述第二區(qū)域上暴露所述襯底的第二部分，并且所述第二溝道孔可以在俯視圖中設(shè)置在所述第一開口的區(qū)域內(nèi)，其中，在俯視圖中，所述第一開口的面積比第二溝道孔的面積大。所述第二半導(dǎo)體圖案可以位于所述第二溝道孔的下部處。

根據(jù)一個實施例，一種垂直半導(dǎo)體器件包括導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)、第一溝道孔、第一半導(dǎo)體圖案、第二溝道孔和第二半導(dǎo)體圖案。所述導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)可以包括在襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域中的每一個上的第一柵極圖案和第二柵極圖案，所述第一柵極圖案和所述第二柵極圖案可以沿垂直于所述襯底的上表面的垂直方向順序地堆疊。所述第一溝道孔延伸穿過所述第二柵極圖案和所述第一柵極圖案，并在所述襯底的所述第一區(qū)域上暴露所述襯底的第一部分。所述第一半導(dǎo)體圖案可以位于所述第一溝道孔的下部處，并且所述第一半導(dǎo)體圖案可以接觸所述第一柵極圖案。所述第二溝道孔延伸穿過所述第二柵極圖案并在所述襯底的所述第二區(qū)域上暴露所述襯底的第二部分。所述第二半導(dǎo)體圖案可以位于所述第二溝道孔的下部處，并且所述第二半導(dǎo)體圖案可以不接觸所述第一柵極圖案。

根據(jù)一個實施例，一種垂直半導(dǎo)體器件包括第一柵極圖案、第二柵極圖案、第一垂直結(jié)構(gòu)和第二垂直結(jié)構(gòu)。所述第一柵極圖案可以在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底上沿第一方向延伸，所述第一方向可以平行于所述襯底的上表面。所述第一柵極圖案的在所述第一區(qū)域上的部分可以包括第一開口。所述第二柵極圖案可以在所述第一柵極圖案上垂直堆疊并且所述第二柵極圖案彼此間隔開，并且每個所述第二柵極圖案可以沿所述第一方向延伸。所述第一垂直結(jié)構(gòu)可以包括第一半導(dǎo)體圖案并且可以延伸穿過所述第二柵極圖案和所述第一柵極圖案并且在所述襯底的所述第一區(qū)域上接觸所述襯底的第一部分，所述第一半導(dǎo)體圖案可以接觸所述第一柵極圖案。所述第二垂直結(jié)構(gòu)可以包括第二半導(dǎo)體圖案，且可以延伸穿過所述第二柵極圖案和所述第一柵極圖案，并且可以在所述襯底的所述第二區(qū)域上接觸所述襯底的一部分，所述第二半導(dǎo)體圖案可以不接觸所述第一柵極圖案。