[發(fā)明專利]光時(shí)域反射儀測(cè)試方法及光時(shí)域反射儀

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811318107.5
• 申請(qǐng)日: 2018-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111162834B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王云謙;劉法平;周外喜;段新明;唐志文;馬慧芳;熊燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)湖南有限公司
• 主分類號(hào): H04B10/071
• 分類號(hào): H04B10/071
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李相雨

1.一種光時(shí)域反射儀測(cè)試方法，其特征在于，包括：

按照初始測(cè)試參數(shù)，觸發(fā)光時(shí)域反射儀OTDR產(chǎn)生初始光信號(hào)，并將所述初始光信號(hào)射入光纖以進(jìn)行測(cè)試；

在測(cè)試過(guò)程中，檢測(cè)獲得所述初始光信號(hào)的當(dāng)前測(cè)試距離，若判斷獲知所述當(dāng)前測(cè)試距離不小于臨界測(cè)試距離，則觸發(fā)OTDR產(chǎn)生調(diào)制光信號(hào)，并將所述調(diào)制光信號(hào)與所述初始光信號(hào)共同射入所述光纖以進(jìn)行測(cè)試；

所述檢測(cè)獲得所述初始光信號(hào)的當(dāng)前測(cè)試距離，包括：

式中，L為當(dāng)前測(cè)試距離，α為光纖衰減常數(shù)，P₀為注入光纖的峰值功率，R_F為菲涅爾反射系數(shù)，P_F(L)為光纖注入端測(cè)得的菲涅爾反射的光功率；

所述臨界測(cè)試距離的表達(dá)式如下：

L₀＝min(L_M，L_A)

其中，L₀為臨界測(cè)試距離，L_M為OTDR的理論監(jiān)測(cè)最長(zhǎng)距離，L_A為吸收衰耗極值距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷獲知所述當(dāng)前測(cè)試距離不小于臨界測(cè)試距離之前，還包括：

獲取菲涅爾反射處的吸收衰耗，所述菲涅爾反射處與光纖注入端之間的距離為所述當(dāng)前測(cè)試距離，并根據(jù)所述吸收衰耗確定所述臨界測(cè)試距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述吸收衰耗為：

P_A(L)＝P₀-P(L)-P_F(L)-P_R(L)

其中，

P(L)＝P₀×e^-αL/10

P_F(L)＝R_F×P₀×e^-2αL/10

P_R(L)＝γ(L)×P(L)×e^-αL/10

式中，P_A(L)為吸收衰耗，P₀為注入光纖的峰值功率，α為光纖衰減常數(shù)，R_F為菲涅爾反射系數(shù)，L為當(dāng)前測(cè)試距離，n為光纖折射率，θ為入射角，V為光在纖芯中的群速率，α_R為瑞利散射系數(shù)，S為背向散射功率與瑞利散射總功率之比，γ(L)為瑞利散射因子，T為脈沖寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

式中，P為OTDR輸入功率的動(dòng)態(tài)范圍，D_c為接入損耗，D_f為光纜的平均衰減系數(shù)，D_s為光纖接頭的平均衰減系數(shù)，M_c為光纜線路富于度，M_a為OTDR測(cè)試精度富于度，γ(0)為初始瑞利散射因子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)獲得所述初始光信號(hào)所到達(dá)的當(dāng)前測(cè)試距離之后，還包括：

若判斷獲知所述當(dāng)前測(cè)試距離小于所述臨界測(cè)試距離，則根據(jù)OTDR輸出的第一測(cè)試結(jié)果圖形重新設(shè)置所述初始測(cè)試參數(shù)，獲得目標(biāo)測(cè)試參數(shù)；

按照所述目標(biāo)測(cè)試參數(shù)，觸發(fā)OTDR產(chǎn)生所述初始光信號(hào)，并將所述初始光信號(hào)射入所述光纖以再次進(jìn)行測(cè)試，以使OTDR輸出的第二測(cè)試結(jié)果圖形相比于所述第一測(cè)試結(jié)果圖形更清晰。