[發明專利]轉位反饋場效應電子器件及利用其的排列電路

在審

• 申請號: 201811315731.X
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN110880501A
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 金相植;趙庚娥;趙鎭先;任斗赫;禹率娥
• 申請（專利權）人: 高麗大學校產學協力團
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;G06N3/063
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發明公開轉位反饋場效應電子器件及利用其的排列電路。根據本發明的一實施例，本發明包括二極管結構體、多個柵極及多個接近電子器件，當上述二極管結構體通過上述多個柵極中的第一柵極和上述多個接近電子器件中的第一接近電子器件接收電壓時執行第一方向接近，當通過上述多個柵極中的第二柵極和上述多個接近電子器件中的第二接近電子器件接收電壓時執行第二方向接近。

本申請要求于2018年09月05日提交且申請號為10-2018-0106112的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

本發明涉及轉位且可作為突觸排列器件使用的反饋場效應電子器件，更詳細地，涉及通過向利用獨立的兩個柵極的反饋場效應(feedback field-effect)晶體管連接兩個接近(access)晶體管來控制行(row)方向和列(column)方向接近的轉位反饋場效應電子器件及利用其的排列電路。

背景技術

作為將人類的神經結構模仿成電子器件及電路的技術有仿神經(Neuromorphic)技術。

基于以往的馮諾依曼的計算機在順序數學計算中呈現出快速動作速度，但呈現出同時計算多輸入和輸出的速度及電力消耗側面的限界性。

多種神經形態技術中的尖峰神經網絡(spiking neural network)技術模仿大腦神經網絡及腦電波的作用來體現更加精致的思考能力。

為了體現這種尖峰神經網絡的神經元和突觸體現為電子器件，尤其，全世界進行通過電子器件體現擔當大腦的記憶及學習的突觸的研究。

突觸模仿器件需要雙方并列動作、突觸可塑性、低電力、高集成化特性。

以往的存儲器件無法進行雙向并列動作，且很難體現突觸可塑性，因此，進行著對于具有電阻隨機存取存儲器(ReRAM，resistive random-access memory)、相變存儲器(PCM，phase change memory)、導電橋存儲器(CBRAM，conductive bridge memory)等多種器件及結構的存儲器件的存儲器件。

但是，上述存儲器件無法使用以往互補金屬氧化物半導體(CMOS，ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)工序，從而器件的均等性及穩定性降低，因復雜的工序過程而無法在實際生活使用。

對此，提出使用以往的互補金屬氧化物半導體工序來體現雙向并列動作及突出可塑性的8T-SRAM，為了在一個存儲單元使用八個晶體管來體現突觸可塑性而需要追加電路，因此呈現出集成度的限界性。

因此，需要開發滿足基于互補金屬氧化物半導體工序的雙向并列動作、突觸可塑性、低電力、高集成化特性的突出模仿器件的開發。

在通過反饋環(feedback loop)存儲機制驅動的存儲器件的情況下，可適用于基于硅通道來用于互補金屬氧化物半導體工序，并呈現優秀的開關特性和低的動作電壓特性。

但是，存在僅通過基于反饋環存儲機制的存儲器件無法體現雙向并列動作和突出可塑性的限制性，當前，不存在基于反饋環存儲機制的存儲器件與接近晶體管相連接來體現雙向并列動作的技術。

并且，只要在突出模仿器件單元內自身體現突出可塑性，可作為高集成化突觸排列器件使用。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：韓國公開專利第10-2017-0127645號，“具有垂直半導體柱的雙門存儲器件”

專利文獻2：韓國授權專利第10-1857873號，“邏輯半導體器件”

專利文獻3：韓國授權專利第10-1835231號，“半導體器件”

發明內容