[發明專利]成像裝置和成像設備

有效

• 申請號: 201811307280.5
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN109547675B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 中田征志
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H04N5/225
• 分類號: H04N5/225;H04N5/232;H04N5/369;H04N9/04;G03B13/36;H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳睆;曹正建

本發明涉及能夠獲得更高質量圖像的成像裝置和成像設備。成像裝置包括相位差檢測像素對，所述相位差檢測像素對包括：第一相位差檢測像素，所述第一相位差檢測像素包括：第一有機光電轉換部，所述第一有機光電轉換部布置在半導體基板的上方；以及第一光電二極管，所述第一光電二極管布置在所述半導體基板中；以及第二相位差檢測像素，所述第二相位差檢測像素包括：第二有機光電轉換部，所述第二有機光電轉換部布置在所述半導體基板的上方；以及第二光電二極管，所述第二光電二極管布置在所述半導體基板中，其中，通過所述第一有機光電轉換部的第一輸出和所述第二有機光電轉換部的第二輸出來檢測相位差。

本申請是申請日為2014年3月12日、發明名稱為“圖像傳感器和電子裝置”的申請號為201480010312.9的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及圖像傳感器和電子裝置，并具體地涉及能夠獲得更高質量圖像的圖像傳感器和電子裝置。

背景技術

近年來，通過設置在圖像傳感器中的相位差檢測像素執行相位差檢測的成像裝置是已知的，在每個相位差檢測像素中，光電轉換部的一部分被遮光(例如，參見專利文獻1)。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：JP 2010-160313A

發明內容

技術問題

然而，在相位差檢測像素中，由于光電轉換部的一部分(例如，一半)被遮光，所以靈敏度低于正常的成像像素的靈敏度。因此，在低亮度的情況下無法獲得充分的信噪比(SNR)，且可能不會精確地執行相位差檢測。因此，所獲得的圖像可能是未對焦的。

此外，在正常的成像像素中，與相鄰像素的顏色混合可能不利地影響顏色再現性和SNR。

針對這種情況而提出的本發明能夠獲得更高質量的圖像。

問題的解決方案

根據本發明的方面，提供了一種包括多個像素的圖像傳感器，每個所述像素包括一個片上透鏡以及被形成在所述片上透鏡下方的多個光電轉換層。所述多個光電轉換層中的至少兩個光電轉換層相對于光接收表面分別被分離地形成、被部分地形成或被部分地遮光。

所述像素可以是用于通過相位差檢測來執行自動對焦(AF)的相位差檢測像素。

所述多個相位差檢測像素中的所述光電轉換層之間的輸出差異可用于所述相位差檢測。

可還包括用于生成圖像的成像像素。所述相位差檢測像素可布置成分布在以矩陣的形式二維地布置的多個所述成像像素之間。

所述相位差檢測像素中的所述光電轉換層和位于所述相位差檢測像素周圍的所述成像像素之間的輸出差異可用于所述相位差檢測。

所述相位差檢測像素可包括有機光電轉換膜和光電轉換部，其中所述有機光電轉換膜被部分地形成，并作為所述多個光電轉換層之中的頂部的所述光電轉換層，并且所述光電轉換部被部分地遮光，并作為被形成在位于所述有機光電轉換膜下方的基板中的所述光電轉換層。

所述相位差檢測像素還可包括位于所述有機光電轉換膜下方的遮光膜，所述遮光膜對所述光電轉換部部分地遮光。所述有機光電轉換膜對被所述遮光膜部分地遮擋的光執行光電轉換。

所述相位差檢測像素可包括被形成在基板中的至少兩層的被分離地形成的光電轉換部，所述至少兩層的光電轉換部作為所述多個光電轉換層。

所述相位差檢測像素可包括至少兩層的被分離地形成或被部分地遮光的有機光電轉換膜，所述至少兩層的有機光電轉換膜作為所述多個光電轉換層。

所述像素可以是用于生成圖像的成像像素。