[發(fā)明專利]陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置

在審

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• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN111146239A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設計）人: 史文;陳亞文
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黃菲

本發(fā)明涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置。其中，陣列基板包括襯底基板、設于所述襯底基板上的薄膜晶體管。其中，薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、半導體層、源電極和漏電極、鈍化層。鈍化層上設有貫穿至所述源電極或所述漏電極的過孔，所述過孔中設有包含導電材料的搭接導電層，所述搭接導電層用于與像素電極電連接。上述陣列基板的表面平整，進而利于電路布線和像素界定層的靈活設定。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

有機電致發(fā)光二極管和量子點發(fā)光二極管是目前顯示器件研究的兩個主要方向。其中，有機電致發(fā)光二極管(OLED)具有自發(fā)光、反應快、視角廣、亮度高及輕薄等優(yōu)點。量子點發(fā)光二極管(QLED)具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調及使用壽命長等優(yōu)點。

印刷工藝是OLED和QLED器件加工過程中的重要環(huán)節(jié)，但采用印刷工藝制備顯示器件時，需要在制備像素電極之前，對薄膜晶體管的鈍化層開設較深的過孔，以便源/漏電極與像素電極連通。但由于較深的過孔存在導致最終制備的陣列基板的表面不平整，制約了電路布線的靈活性和像素界定層設計的靈活性。

發(fā)明內容

基于此，有必要針對陣列基板不平整的問題，提供一種表面平整的陣列基板。

一種表面平整的陣列基板，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，設于所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括：

柵極，設于所述襯底基板上；

柵極絕緣層，覆蓋在所述柵極上；

半導體層，設于所述柵極絕緣層上；

源電極和漏電極，設于所述柵極絕緣層上并與所述半導體層電連接；

鈍化層，覆蓋所述源電極和所述漏電極；以及

所述鈍化層上設有貫穿至所述源電極或所述漏電極的過孔，所述過孔中設有包含導電材料的搭接導電層，所述搭接導電層用于與像素電極電連接。

上述陣列基板的表面平整，進而利于電路布線和像素界定層的靈活設定。具體而言，由于在制備像素電極前，先對鈍化層上較深的過孔用導電材料填充以形成可將源電極或漏電極與像素電極電連接的搭接導電層，這樣也就避免因為較深過孔的存在而導致陣列基板表面不平整的問題，進而導致后續(xù)制備像素電極不平整，影響電路布線和像素界定層的靈活設定。

在其中一個實施例中，所述搭接導電層填充滿所述過孔的空間，且所述搭接導電層的厚度與所述過孔的高度相等。

在其中一個實施例中，所述鈍化層的組成材料包括絕緣材料和有機光阻材料中的一種或兩種。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法。

一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：

在襯底基板的一側形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括設于襯底基板上的柵極、設于柵極上的柵極絕緣層、設于柵極絕緣層上的半導體層、設于柵極絕緣層上并與所述半導體層電連接的源電極和漏電極、覆蓋所述源電極和所述漏電極的鈍化層；

在所述薄膜晶體管對應所述源電極或所述漏電極位置處的鈍化層上開設過孔；

在所述過孔中沉積導電材料，以在所述過孔中形成搭接導電層。

上述制備方法簡單，在制備像素電極前，只需對鈍化層上較深的過孔用導電材料填充，這樣也就避免后續(xù)制備像素電極時，因為較深過孔的存在導致像素電極表面不平整的問題，進而利于電路布線和像素界定層的靈活設定。