[發明專利]陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201811306060.0
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN111146239A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 史文;陳亞文
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黃菲

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，設于所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括：

柵極，設于所述襯底基板上；

柵極絕緣層，覆蓋在所述柵極上；

半導體層，設于所述柵極絕緣層上；

源電極和漏電極，設于所述柵極絕緣層上并與所述半導體層電連接；

鈍化層，覆蓋所述源電極和所述漏電極；以及

所述鈍化層上設有貫穿至所述源電極或所述漏電極的過孔，所述過孔中設有包含導電材料的搭接導電層，所述搭接導電層用于與像素電極電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述搭接導電層填充滿所述過孔的空間，且所述搭接導電層的厚度與所述過孔的高度相等。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層的組成材料包括絕緣材料和有機光阻材料中的一種或兩種。

4.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底基板的一側形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括設于襯底基板上的柵極、設于柵極上的柵極絕緣層、設于柵極絕緣層上的半導體層、設于柵極絕緣層上并與所述半導體層電連接的源電極和漏電極、覆蓋所述源電極和所述漏電極的鈍化層；

在所述薄膜晶體管對應所述源電極或所述漏電極位置處的鈍化層上開設過孔；

在所述過孔中沉積導電材料，以在所述過孔中形成搭接導電層。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述薄膜晶體管對應所述源電極或所述漏電極位置處的鈍化層上開設過孔之后，在所述過孔中沉積導電材料，以在所述過孔中形成搭接導電層的步驟之前，還包括在所述薄膜晶體管的鈍化層上沉積光阻材料以形成光阻層；去除滲入所述過孔中的光阻材料。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述去除滲入所述過孔中的光阻材料的步驟中，采用刻蝕的方式去除所述過孔中的光阻材料。

7.根據權利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述過孔中沉積導電材料，以在所述過孔中形成搭接導電層的步驟中，當過孔中的導電材料的沉積厚度與所述過孔的高度相等時，停止沉積導電材料。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權利要求1-3中任一項所述的陣列基板或權利要求4-7中任一項所述的方法制備的陣列基板。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置還包括設于所述陣列基板上的像素電極，所述像素電極為反射型電極。