[發明專利]含硅底層

有效

• 申請號: 201811294466.1
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN109765758B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: C·A·卡特勒;崔莉;山田晉太郎;P·J·拉博姆;S·M·科萊;J·F·卡梅倫;D·格林
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F7/16;G03F7/42
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

1.一種用于形成含硅底層的組合物，其包含：

(a)一種或多種溶劑；

(b)以下各項的縮合物和/或水解物：

(i)一種或多種縮合含硅聚合物，所述縮合含硅聚合物包含作為聚合單元的一種或多種具有可縮合含硅部分的第一不飽和單體，以及一種或多種不含可縮合含硅部分的第二不飽和單體，其中至少一種第一不飽和單體具有式(1)：

其中L是單鍵或二價連接基團；各R¹獨立地選自H、C_1-10烷基、C_2-20烯基、C_5-20芳基和C_6-20芳烷基；R²和R³各自獨立地選自H、C_1-4烷基、C_1-4鹵代烷基、鹵素、C_5-20芳基、C_6-20芳烷基和CN；R⁴選自H、C_1-10烷基、C_1-10鹵代烷基、鹵素、C_5-20芳基、C_6-20芳烷基和C(＝O)R⁵；R⁵選自OR⁶和N(R⁷)₂；R⁶選自H和C_1-20烷基；各R⁷獨立地選自H、C_1-20烷基和C_6-20芳基；各Y¹獨立地選自鹵素、C_1-10烷氧基、C_5-10芳氧基、C_1-10羧基；并且b是0到2的整數，至少一種第二不飽和單體具有式(3)

其中Z是具有內酯部分的單價有機殘基；并且R¹⁰獨立地選自H、C_1-4烷基、C_1-4鹵代烷基、鹵素和CN，和

(ii)一種或多種具有式(8)的可縮合硅單體：

Si(R⁵⁰)_p(X)_4-p(8)

其中p是0到3的整數；各R⁵⁰獨立地選自C_1-30烴基部分和經取代C_1-30烴基部分；并且各X獨立地選自鹵素、C_1-10烷氧基、-OH、-O-C(O)-R⁵⁰和-(O-Si(R⁵¹)₂)_p2-X¹；X¹獨立地選自鹵素、C_1-10烷氧基、-OH、-O-C(O)-R⁵⁰；各R⁵¹獨立地選自R⁵⁰和X；并且p2是1到10的整數；和

(c)一種或多種不含Si-O鍵且具有至少兩個羥基的交聯劑。

2.根據權利要求1所述的組合物，其中所述交聯劑選自具有C_2-4-亞烷氧基重復單元和2個或更多個末端羥基的環氧烷聚合物和具有兩個或更多個懸垂式結合的羥基的聚合物。

3.根據權利要求1或2所述的組合物，其中p＝0或1。

4.根據權利要求1或2所述的組合物，其中所述(c)交聯劑具有四個或更多個羥基。

5.根據權利要求1或2所述的組合物，其中L是二價連接基團。

6.根據權利要求5所述的組合物，其中所述二價連接基團是具有1到20個碳原子和任選的一個或多個雜原子的有機基團。

7.根據權利要求5所述的組合物，其中所述二價連接基團具有式-C(＝O)-O-L¹-，其中L¹是單鍵或具有1到20個碳原子的有機基團。