[發明專利]反應腔室、原子層沉積方法及半導體加工設備

在審

• 申請號: 201811293908.0
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN111118473A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 趙雷超;史小平;蘭云峰;紀紅;秦海豐;張文強
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/54
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括腔室本體，其特征在于，還包括第一抽氣管路和分子泵，其中，所述第一抽氣管路的一端與所述腔室本體連接，所述第一抽氣管路的另一端與所述分子泵的進氣口連接，所述分子泵用于通過所述第一抽氣管路將所述腔室本體抽真空至第一預設真空度。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，還包括第二抽氣管路和干泵，其中，所述第二抽氣管路的一端與所述腔室本體連接，所述第二抽氣管路的另一端與所述干泵的進氣口連接，所述干泵用于通過所述第二抽氣管路將所述腔室本體抽真空至第二預設真空度。

3.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述第一預設真空度的取值范圍為小于3×10^-7托。

4.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述第二預設真空度的取值范圍為0.1毫托-10毫托。

5.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，還包括進氣管路和第二吹掃管路，其中，所述進氣管路的一端與所述第二吹掃管路連接，所述進氣管路的另一端與所述腔室本體連接，所述進氣管路用于向所述腔室本體內通入工藝氣體，所述第二吹掃管路用于向所述進氣管路和所述腔室本體內通入吹掃氣體。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述第一抽氣管路上設有控制閥，所述控制閥用于控制所述腔室本體和所述分子泵之間的通斷。

7.一種原子層沉積方法，其特征在于，在工藝開始前進行預吹掃的步驟，所述預吹掃包括以下步驟：

S1、通過第一吹掃管路和第二吹掃管路共同向腔室本體內通入吹掃氣體第一預設時間；

S2、利用干泵將所述腔室本體抽真空至第二預設真空度，并利用分子泵將所述腔室本體抽真空至第一預設真空度；

S3、判斷所述步驟S1和S2的循環次數是否達到預設循環次數，是則開始執行工藝，否則返回所述步驟S1。

8.根據權利要求7所述的原子層沉積方法，其特征在于，所述步驟S1中還包括：將其中一種前驅體直接通入所述干泵中吹掃第二預設時間，所述前驅體包括NH₃。

9.根據權利要求7所述的原子層沉積方法，其特征在于，所述步驟S3中，開始執行工藝后，控制閥呈關閉狀態。

10.一種半導體加工設備，其特征在于，包括權利要求1-6任意一項所述的反應腔室，其中，所述反應腔室包括第一抽氣管路和分子泵，所述分子泵通過所述第一抽氣管路將腔室本體抽真空至第一預設真空度。