[發明專利]一種溝槽保護圈結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201811289747.8
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111128959A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768;H01L23/00
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 于寶慶;崔香丹

1.一種溝槽保護圈結構的形成方法，包括：

提供一基底，所述基底具有多個芯片區域，在相鄰所述芯片區域間設置保護圈區域；

在所述保護圈區域內形成溝槽，在所述溝槽內形成字線結構，所述字線結構上表面不高于基底上表面；

在所述基底上層疊狀設置多個金屬互連層，相鄰的所述金屬互連層之間設置金屬間介電層，于所述金屬間介電層內形成第一連接件連接相鄰的所述金屬互連層，最底層的所述金屬互連層與所述基底間設置層間介電層，于所述層間介電層中設置第二連接件，使最底層的所述金屬互連層與所述字線結構連接，從而形成溝槽保護圈結構。

2.如權利要求1所述的溝槽保護圈結構的形成方法，其中，所述保護圈區域中的所述溝槽內的所述字線結構電位接地。

3.如權利要求1所述的溝槽保護圈結構的形成方法，其中，所述溝槽保護圈結構中包含多個所述溝槽以及多個所述字線結構，所述溝槽的數量與所述字線結構的數量相同，且所述字線以及所述溝槽的數量為2或2的倍數。

4.如權利要求3所述的溝槽保護圈結構的形成方法，其中，最底層的所述金屬互連層與多個字線結構中的至少一個通過所述第二連接件相連接。

5.如權利要求1所述的溝槽保護圈結構的形成方法，其中，在所述保護圈區域內形成所述溝槽保護圈結構中各個部件的同時，在芯片區域內也形成對應相同或相似的所述部件，所述部件包括所述溝槽、所述字線結構、所述層間介電層、所述第二連接件、所述金屬互連層、所述金屬間介電層以及所述第一連接件。

6.如權利要求5所述的溝槽保護圈結構的形成方法，其中，所述保護圈區域內的所述金屬互連層、所述第一連接件、所述第二連接件以及所述字線結構與所述芯片區域內對應的相同或相似的部件互不相連。

7.一種溝槽保護圈結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有若干芯片區域以及位于相鄰所述芯片區域間的保護圈區域；

溝槽，位于所述保護圈區域中；

字線結構，位于所述溝槽中；

多個金屬互連層，位于所述基底上，呈層疊狀設置；

金屬間介電層，位于相鄰所述金屬互連層之間，其中所述金屬間介電層中具有第一連接件，所述第一連接件連接上下相鄰的所述金屬互連層；

層間介電層，位于最底層的所述金屬互連層與所述基底之間，其中所述層間介電層中具有第二連接件，所述第二連接件連接最底層金屬互連層和所述字線結構。

8.如權利要求7所述的溝槽保護圈結構，其中，所述保護圈區域中的所述溝槽內的所述字線結構電位接地。

9.如權利要求7所述的溝槽保護圈結構，其中，所述溝槽保護圈結構中包含多個所述溝槽以及多個所述字線結構，所述溝槽的數量與所述字線結構的數量相同，所述字線以及所述溝槽的數量為2或2的倍數。

10.如權利要求9所述的溝槽保護圈結構，其中，最底層的所述金屬互連層與多個所述字線結構中的至少一個通過所述第二連接件相連接。

11.如權利要求7所述的溝槽保護圈結構，所述芯片區域包含與所述溝槽保護圈區域中對應相同或相似的各個部件，所述部件包括所述溝槽、所述字線結構、所述層間介電層、所述第二連接件、所述金屬互連層、所述金屬間介電層以及所述第一連接件。

12.如權利要求7所述的溝槽保護圈結構，其中，所述保護圈區域內的所述金屬互連層、所述第一連接件、所述第二連接件以及所述字線結構與所述芯片區域內對應的相同或相似的部件互不相連。