[發明專利]刻蝕方法

在審

• 申請號: 201811289425.3
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111128694A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 李天慧;平延磊;馬強
• 申請（專利權）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;G03F7/20
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法包括如下步驟：

1)提供一基底；

2)于所述基底上形成待刻蝕材料層，所述待刻蝕材料層的上表面具有高度差；

3)于所述待刻蝕材料層的上表面形成抗反射層；

4)于所述抗反射層的上表面形成光致酸產生劑層；

5)對所述光致酸產生劑層進行曝光，以使得所述光致酸產生劑層曝光區域上部形成酸化區域；

6)對所述酸化區域進行處理，以使得所述酸化區域轉化為掩膜層；

7)依據所述掩膜層依次刻蝕所述光致酸產生劑層、所述抗反射層及所述待刻蝕材料層。

2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟1)與步驟2)之間還包括如下步驟：

于所述基底的上表面形成刻蝕阻擋層；

于所述刻蝕阻擋層的上表面形成圖形結構；

步驟2)中，所述待刻蝕材料層形成于所述刻蝕阻擋層的上表面，且所述刻蝕材料層覆蓋所述圖形結構。

3.根據權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層包括待刻蝕區域及非刻蝕區域，所述圖形結構位于所述非刻蝕區域；所述待刻蝕材料層非刻蝕區域的上表面的高度高于所述待刻蝕材料層待刻蝕區域的上表面的高度。

4.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟6)包括如下步驟：

6-1)對所述酸化區域進行烘烤，以使得所述酸化區域發生催化反應而生成可與含硅氣體發生離子反應的聚合物；

6-2)將所述聚合物與含硅氣體進行反應以生成所述掩膜層。

5.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟6-1))中對所述酸化區域進行烘烤的溫度為100℃～150℃。

6.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含硅氣體包括甲硅烷。

7.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述掩膜層包括氧化硅層。

8.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，采用反應離子刻蝕工藝依次刻蝕所述光致酸產生劑層、所述抗反射層及所述待刻蝕材料層。

9.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟5)中形成的所述酸化區域的厚度及所述步驟6)中形成的所述掩膜層的厚度均小于所述光致酸產生劑層的厚度。

10.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟7)中之后，還包括去除所述掩膜層、所述光致酸產生劑層及所述抗反射層的步驟。