[發明專利]一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法有效
| 申請號： | 201811288681.0 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN109461646B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 邵錦文;侯同曉;孫致祥;賈仁需;元磊;張秋潔;劉學松 | 申請（專利權）人： | 秦皇島京河科學技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 張曉 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇島市市轄區經*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic mosfet 氧化 退火 方法 | ||
1.一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法，其特征在于，包括：
制備SiC外延片；
在所述SiC外延片上生長SiO2柵氧化層；
在惰性氣體與Cl2混合氣體環境條件下，對所述SiO2柵氧化層進行退火處理，包括：
在500℃～1000℃溫度、設定壓力和設定時間下，在所述惰性氣體與Cl2混合氣體環境條件下，對所述SiO2柵氧化層進行退火處理，其中，所述設定壓力為0.1mbar～1mbar，所述惰性氣體與Cl2混合氣體環境條件下，所述Cl2占所述混合氣體的比例為20％～90％。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，制備所述SiC外延片，包括：
選取SiC襯底層；
在所述SiC襯底層上生長SiC外延層，以形成所述SiC外延片。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述SiC外延片上生長所述SiO2柵氧化層之前，還包括：
利用RCA清洗所述SiC外延片。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述SiC外延片上生長所述SiO2柵氧化層，包括：
在1000℃～1400℃溫度下，通入氧化氣體，在所述SiC外延片上生長所述SiO2柵氧化層。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化氣體為干氧化氣體或濕氧化氣體。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述惰性氣體與Cl2混合氣體環境條件下，對所述SiO2柵氧化層進行退火處理，包括：
在500℃～1000℃溫度、設定壓力和設定時間下，在所述惰性氣體與Cl2混合氣體環境條件下，對所述SiO2柵氧化層進行退火處理。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述設定時間為30～180min。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體為N2、Ar或He。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
