[發(fā)明專利]一種封裝載板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811285030.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111106056A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何雨桐;何忠亮;張旭東;徐光澤;李金樣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市環(huán)基實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧嬋 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 裝載 | ||
本公開涉及一種封裝載板,所述封裝載板用于承載封裝體,所述封裝載板包括:承載片和比承載片更薄的介質(zhì),其中,所述承載片的一部分區(qū)域?qū)儆谒鼋橘|(zhì)附著的第一區(qū)域,所述承載片的至少另一部分區(qū)域?qū)儆诮饘匐姌O附著的第二區(qū)域;其中,所述承載片能夠相對(duì)于所述封裝體剝離并重復(fù)用于所述封裝載板;所述介質(zhì)包括如下任一:離型膜,過渡鍍層,或其他能與封裝體或承載片形成弱結(jié)合力的介質(zhì)。以此,本公開實(shí)現(xiàn)了一種更簡(jiǎn)單、更環(huán)保、更低成本的封裝載板及其配套工藝。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開屬于電子領(lǐng)域,其具體涉及一種封裝載板。
背景技術(shù)
集成電路產(chǎn)業(yè)是信息化社會(huì)的基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),其中,各種集成電路的封裝及測(cè)試是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中的重要一環(huán)。就封裝技術(shù)而已,主流的封裝載板多采用HDI技術(shù)路線,其核心在于微孔導(dǎo)通與細(xì)線路的形成,然而該技術(shù)路線的設(shè)備及技術(shù)門檻高,投入大,需匹配專用的載板基材,且尺寸厚度受材料規(guī)格限制。
如何設(shè)計(jì)一種更簡(jiǎn)單、更環(huán)保、更低成本的封裝載板及其配套工藝,是封裝產(chǎn)業(yè)亟須解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本公開揭示了一種封裝載板,所述封裝載板用于承載封裝體,所述封裝載板包括:
承載片和比承載片更薄的介質(zhì),其中,所述承載片的一部分區(qū)域?qū)儆谒鼋橘|(zhì)附著的第一區(qū)域,所述承載片的至少另一部分區(qū)域?qū)儆诮饘匐姌O附著的第二區(qū)域;
其中,
所述承載片能夠相對(duì)于所述封裝體剝離并重復(fù)用于所述封裝載板;
所述介質(zhì)包括如下任一:離型膜,過渡鍍層,或其他能與封裝體或承載片形成弱結(jié)合力的介質(zhì)。
通過上述技術(shù)方案,本公開實(shí)現(xiàn)了一種新型封裝載板,其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,具備可剝離的特點(diǎn),并且能夠提高生產(chǎn)效率、降低成本、更加環(huán)保。
附圖說明
圖1-1為本公開一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖1-2為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖1-3為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4-1為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4-2為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4-3為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5-1為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5-2為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5-3為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5-4為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7-1為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7-2為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7-3為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8-1為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8-2為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8-3為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8-4為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖9-1為本公開另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





