[發明專利]一種限流電路的測試控制電路

有效

• 申請號: 201811283992.8
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111124031B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 鄭辰光
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 吳小燦

1.一種限流電路的測試控制電路，其特征在于，包括具有功率MOS管和感應MOS管和比較器的限流電路，所述限流電路連接電流鏡，所述電流鏡的電流鏡第一輸出端連接所述功率MOS管的柵極，所述電流鏡的電流鏡第二輸出端連接所述感應MOS管的柵極，所述功率MOS管的柵極連接測試模式控制管，當所述測試模式控制管得到測試信號時，所述測試模式控制管使所述功率MOS管關閉；

所述功率MOS管為功率NMOS管，所述感應MOS管為感應NMOS管，所述功率NMOS管的源極和所述感應NMOS管的源極均連接電壓輸出端，所述功率NMOS管的漏極連接電壓接入端，所述感應NMOS管的漏極一路通過第二電阻連接所述電壓接入端，所述感應NMOS管的漏極另一路連接所述比較器的負向輸入端，所述比較器的正向輸入端一路通過第一電阻連接所述電壓接入端，所述比較器的正向輸入端另一路通過第一電流源連接接地端，所述比較器的輸出端為限流信號端；

所述電流鏡包括第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管，所述第三PMOS管的源極、第四PMOS管的源極和第五PMOS管的源極均連接電荷泵的電荷泵輸出電壓端，所述第三PMOS管的柵極、第四PMOS管的柵極和第五PMOS管的柵極均連接所述第三PMOS管的漏極，所述第三PMOS管的漏極通過第二電流源連接接地端，所述第四PMOS管的漏極為電流鏡第一輸出端，所述第五PMOS管的漏極為電流鏡第二輸出端；

所述測試模式控制管為第六NMOS管，所述第六NMOS管的柵極連接測試信號端，所述第六NMOS管的源極連接接地端，所述第六NMOS管的漏極連接所述功率MOS管的柵極；

當芯片進入測試模式時，所述測試信號為高電平即所述第六NMOS管的柵極為高電平，所述第六NMOS管導通，所述功率MOS管的第一柵壓被所述第六NMOS管拉低變為低電平，所述功率MOS管變成截止狀態，所述感應MOS管仍然處于導通狀態。