[發明專利]用于半導體部件的同軸互連結構

在審

• 申請號: 201811279333.7
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN110098164A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: M·雅各布斯;張麗娟
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/498;H01L23/552;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;張昊

1.一種半導體部件，包括：

封裝襯底，具有由所述封裝襯底的獨立導電層形成的對應的信號跡線和接地跡線；

集成電路(IC)裸片，具有信號焊盤和接地焊盤；以及

同軸互連結構，所述同軸互連結構將所述IC裸片的所述信號焊盤和所述接地焊盤電耦合至所述封裝襯底的對應的所述信號跡線和所述接地跡線，所述同軸互連結構包括

信號芯，繞軸線延伸，所述軸線(i)與包含所述信號焊盤和所述接地焊盤的所述IC裸片的平面正交以及(ii)與包含對應的所述信號跡線和所述接地跡線的所述封裝襯底的平面正交；

接地屏蔽，繞所述軸線延伸并被設置為圍繞所述信號芯的周界；以及

絕緣體，設置在所述信號芯和所述接地屏蔽之間。

2.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述封裝襯底是多層印刷電路板(PCB)。

3.根據權利要求2所述的半導體部件，其中所述多層印刷電路板(PCB)由復合纖維基環氧材料形成，并且包括銅或鋁的多層。

4.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述封裝襯底是具有硅通孔(TSV)互連的硅中介層。

5.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述集成電路裸片是存儲器裸片，所述存儲器裸片是動態隨機存取存儲器(DRAM)裸片或者閃存裸片。

6.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述集成電路裸片是邏輯裸片。

7.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述集成電路裸片是片上系統(SoC)裸片。

8.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述信號芯是銅(Cu)材料。

9.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述信號芯是鈦(Ti)或鎢(W)材料。

10.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述絕緣體是聚酰亞胺(PI)材料、聚苯并惡唑(PBO)材料或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)材料。

11.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述絕緣體是氣相的材料。

12.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述接地屏蔽是銅(Cu)材料。

13.根據權利要求1所述的半導體部件，其中所述接地屏蔽是錫(Sn)材料。

14.一種半導體部件，包括：

封裝襯底，具有由所述封裝襯底的公共導電層形成的對應的信號跡線和接地跡線；

集成電路(IC)裸片，具有信號焊盤和接地焊盤；以及

同軸互連結構，所述同軸互連結構將所述IC裸片的所述信號焊盤和所述接地焊盤電耦合至所述封裝襯底的對應的所述信號跡線和所述接地跡線，所述同軸互連結構包括：

信號芯，繞軸線延伸，所述軸線(i)與包含所述信號焊盤和所述接地焊盤的所述IC裸片的平面正交以及(ii)與包含對應的所述信號跡線和所述接地跡線的所述封裝襯底的平面正交；

接地屏蔽，繞所述軸線延伸并被設置為圍繞所述信號芯的周界的一部分；以及

絕緣體，設置在所述信號芯與所述接地屏蔽之間。

15.根據權利要求14所述的半導體部件，其中所述封裝襯底是單層印刷電路板(PCB)，所述單層印刷電路板包括復合纖維基環氧材料，并且所述封裝襯底包括銅或鋁的單層。

16.根據權利要求14所述的半導體部件，其中所述集成電路裸片是存儲器裸片，所述存儲器裸片是動態隨機存取存儲器裸片或者閃存存儲器裸片、邏輯裸片或片上系統裸片。